Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние состояния поверхности кремния на чувствительность к водороду барьерных структур Pd/n-Si
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия 
Поступила в редакцию: 8 января 2002 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.
Исследовано влияние термического отжига кремния перед нанесением палладиевого контакта на чувствительность к водороду барьерных структур палладий-<естественный окисел>-кремний. Показано, что структуры на основе отожженного кремния имеют существенно большую чувствительность к водороду и меньшее время отклика, чем структуры на основе кремния, не подвергавшегося отжигу. Полученные результаты обсуждаются с точки зрения структурных изменений, происходящих при термообработке на границе раздела кремния-<естественный окисел>.
- A. Diligenti, M. Stagi, V. Ciuti. Sol. St. Commun., 45, 347 (1983)
- M.C. Petty. Sol. St. Electron., 29, 89 (1986)
- Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, С.В. Слободчиков. ЖТФ, 63 (2), 185 (1993)
- В.И. Гаман, П.Н. Дробот, М.О. Дученко, В.М. Калыгина. Поверхность, N 11, 64 (1996)
- С.А. Литвиненко, В.В. Митрофанов, В.И. Соколов. ЖТФ, 51 (4), 828 (1981)
- В.Г. Литовченко. Полупроводниковая техника и микроэлектроника, N 9, 92 (1972)
- В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
