"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
"Экситонная" фотопроводимость кристаллов GaAs
Аверкиев Н.С.1, Зайцев Д.А.1, Савченко Г.М.2, Сейсян Р.П.
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Экспериментально исследованы и проанализированы спектральные зависимости фотопроводимости при 1.77 и 77 K образцов чистого эпитаксиального GaAs высокого кристаллического совершенства на подложке из полуизолирующего GaAs. Построена теория спектров фотопроводимости, в которой учитывается аналитическая форма экситонного края поглощения полупроводниковых кристаллов и транспорт фотогенерированных носителей заряда с учетом конечной толщины кристалла и наличия центров поверхностной рекомбинации. Показано, что при энергии возбуждения, меньшей ширины запрещенной зоны, спектр фотопроводимости определяется элементарными возбуждениями экситонного типа, а при больших энергиях возбуждения --- поверхностными состояниями, а также процессами, связанными с испусканием оптических фононов. Обнаружено, что в изучаемых образцах образование экситонов непосредственно при поглощении света может иметь вероятность, сопоставимую с вероятностью формирования экситонов из термализованного электронно-дырочного газа.
  • А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1996)
  • Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел (М., Изд-во иностр. лит., 1962)
  • Т. Мосс. Оптические свойства полупроводников (М., Мир, 1970)
  • J.I. Frenkel. Phys. Rev., 37, 17 (1931); Phys. Rev., 37, 1276 (1931)
  • Ю.Г. Кусраев, Р.П. Сейсян. В кн.: Петербургская-Ленинградская школа электроники (СПб., Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2013) с. 234
  • А.А. Клочихин, С.А. Пермогоров, А.Н. Резницкий. ЖЭТФ, 71, 2230 (1976)
  • T.C. Damen, J. Shah, D.Y. Oberli, D.S. Chemla, J.E. Cunningham, J.M. Kuo. Phys. Rev. B, 42 (12),7434 (1990)
  • T. Amand, J. Barrau, X. Marie, N. Lauret, B. Dareys, M. Brousseau, F. Laruelle. Phys. Rev. B, 47 (12), 7155 (1993)
  • F. Clerot, B. Deveaud, A. Chomette, A. Regreny, B. Sermage. Phys. Rev. B, 41 (9), 5756 (1990)
  • В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников (СПб., Изд-во СПбГУ, 2003)
  • А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, Н.В. Жукова, Б.В. Новиков, Э.И. Читыров. ФТТ, 45 (11), 1961 (2003)
  • Е.Ф. Гросс, Б.В. Новиков. ФТТ, 1 (3), 357 (1959)
  • Физика и химия соединений A-=SUP=-2-=/SUP=-B-=SUP=-6-=/SUP=-, пер. под ред. С.А. Медведева, (М., Мир, 1970)
  • S. Permogorov. Phys. Status Solidi B, 68, 9 (1975)
  • С. Piermarocchi, F. Tassone, V. Savona, A. Quattropani, P. Schwendimann. Phys. Rev. B, 55, 1333 (1997)
  • P.E. Selbmann, M. Gulia, F. Rossi, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 54, 4660 (1996)
  • J. Szczytko, L. Kappei, J. Berney, F. Morier-Gehound, M.T. Portella-Oberli, B. Deveaud. Phys. Rev. Lett. 93, 137 401 (2004)
  • R.A. Kaindl, D. Hagele, M.A. Carnahan, D.S. Chemla. Phys. Rev. B, 79, 045 320 (2009)
  • K. Kowalik-Seidl, X.P. Vogele, F. Seilmeier, D. Schuh, W. Wegscheider, A.W. Holleitner, J.P. Kotthaus. Phys. Rev. B, 83 (8), 081307 (R) (2011)
  • Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1976) с. 142
  • Г.Н. Алиев, О.С. Кощуг, Р.П. Сейсян. ФТТ, 36 (2), 373 (1994)
  • R.J. Elliott. Phys. Rev., 108 (6), 1384 (1957)
  • M. Ueta, H. Kanazaki, K. Kobayashi, Y. Toyazawa, E. Hanamura. Excitonic Processes in Solids [Springer-Verlag Ser. in Solid-State Sciences, v. 60] (Springer-Verlag Berlin, Heidelberg, 1986) p. 228
  • H.J. Stocker, H. Levinstain, C.R. Stannard. Phys. Rev., 150, 613 (1966).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.