"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электронная структура и эффективные массы носителей заряда в кубических системах InxGa1-xN (x=0.25, 0.5, 0.75)
Илясов В.В.1, Ершов И.В.1, Жданова Т.П.1
1Донской государственный технический университет, Ростов-на-Дону, Россия
Поступила в редакцию: 20 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Зонная структура тройных кубических соединений III-нитридов InxGa1-xN (x=0.25, 0.5, 0.75) рассчитана в рамках теории функционала плотности с использованием приближения псевдопотенциала. В кубических системах InxGa1-xN впервые обнаружен эффект большего (на 20-30%) переноса заряда от атомов металла к азоту в пересчете на связь In-N, чем на связь Ga-N, природа которого обусловлена различием в их электроотрицательности, а также в структурной релаксации длин связей. Впервые показано, что в системах InxGa1-xN существуют как легкие [(0.04-0.12)m0], так и тяжeлые [(0.72-0.97)m0] дырки, а эффективные массы электронов лежат в диапазоне (0.04-0.13)m0. Впервые показано, что в системе InxGa1-xN с большим содержанием индия подвижность носителей заряда возрастает на порядок по сравнению с бинарным кристаллом GaN.
  • D.J. As. Microelectronics, 40, 204 (2009)
  • J. Schormann, D.J. As, K. Lischka, P. Schley, R. Goldhahn, S.F. Li, W. Loffler,M. Hetterich, H. Kalt. Appl. Phys. Lett. 89, 261 903 (2006)
  • J.B. Li, Hui Yang, L.X. Zheng, D.P. Xu, Y.T. Wang. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4S1, G3.25 (1999)
  • В.В. Криволапчук, В.В. Лундин, М.М. Мездрогина. ФТТ, 47 (7), 1338 (2005)
  • И.П. Сошников, В.В. Лундин, А.С. Усиков, И.П. Калмыков, Н.Н. Леденцов, A. Rosenauer, B. Neubauer, D. Geethsen. ФТП, 34 (6), 647 (2000)
  • V.Yu. Davydov, A.A. Klochikhin, R.P. Seisyan, V.V. Emtsev, S.V. Ivanov, F. Bechstedt, J. Furthmuller, H. Harima, A.V. Mudryi, J. Aderhold, O. Semchinova, J. Graul. Phys. Status Solidi B, 229 (3), R1-R3 (2002)
  • А.И. Дмитриев, Р.Б. Моргунов, С.В. Зайцев. ЖЭТФ, 139, 367 (2011)
  • А.В. Шапошников, Д.В. Гриценко, И.П. Петренко, О.П. Пчеляков, В.А. Гриценко, С.Б. Эренбург, Н.В. Бауск, А.М. Бадалян, Ю.В. Шубин, Т.П. Смирнова, Х. Вонг, Ч.В. Ким. ЖЭТФ, 129, 914 (2006)
  • С.Н. Гриняев, А.Н. Разжувалов. ФТТ, 43, 529 (2001)
  • B.C. Lee. J. Korean Phys. Soc., 35, 516 (1999)
  • В.М. Mихеев. ФТТ 43, 414 (2001)
  • D. Gaskill, L. Rowland, K. Doverspike. Electrical transport properties of AlN, GaN and Al-GaN. In: Properties of group III nitrides, ed. by J. Edgar (1995). EMIS Datarewiews series; No 11
  • M. Farahmand, C. Garetto, E. Belloti. IEEE Tran. Electron. Dev., 48, 535 (2001)
  • S.K. O'Leary, B.R. Foutz, M.S. Shur, L.F. Eastman. J. Appl. Phys., 85, 7727 (1999)
  • Z. Dziuba, J. Antoszewski, J. Dell, L. Faraone, P. Kozodoy, S. Keller, B. Keller, S. DenBaars, U. Mishra. J. Appl. Phys., 82, 2996 (1997)
  • R. Gaska, J. Yang, A. Osinsky, Q. Chen, K.M. Asif, A. Orlov, G. Snider, M. Shur. J. Appl. Phys., 77, 770 (1998)
  • А.В. Антонов, В.И. Гавриленко, Е.В. Демидов, С.В. Морозов, А.А. Дубинов, J. Lusakowski, W. Knap, N. Dyakonova, E. Kaminska, A. Piotrowska, K. Golaszewska, M.S. Shur. ФТТ, 46, 146 (2004)
  • I. Vurgaftman, J.R. Meyer. J. Appl. Phys., 94, 3675 (2003)
  • D. Fritsch, H. Schmidt, M. Grundmann. Phys. Rev. B, 69, 165 204 (2004)
  • P.D.C. King, T.D. Veal, P.H. Jefferson, C.F. McConville, T. Wang, P.J. Parbrook, Hai Lu, W.J. Schaff. Appl. Phys. Lett., 90, 132 105 (2007)
  • A.J. Freeman, R. Asahi, A. Continenza, R. Wu. Solid-state photoemission and related methods, ed. by W. Shattke (Wiley-VCH, 2003)
  • P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini, M. Calandra, R. Car, C. Cavazzoni, D. Ceresoli, G.L. Chiarotti, M. Cococcioni, I. Dabo, A.D. Corso, S. de Gironcoli, S. Fabris, G. Fratesi, R. Gebauer, U. Gerstmann, C. Gougoussis, A. Kokalj, M. Lazzeri, L. Martin-Samos, N. Marzari, F. Mauri, R. Mazzarello, S. Paolini, A. Pasquarello, L. Paulatto, C. Sbraccia, S. Scandolo, G. Sclauzero, A.P. Seitsonen, A. Smogunov, P. Umari, R.M. Wentzcovitch. J. Phys.: Condens. Matter, 21, 395 502 (2009)
  • J.P. Perdew, S. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett., 77, 3865 (1996)
  • B. Daoudi, M. Sehil, A. Boukraa, H. Abid. Int. J. Nanoelectron. Mater., 1, 65 (2008)
  • В.В. Илясов, Т.П. Жданова, И.Я. Никифоров. ФТТ, 48 (4), 614 (2006)
  • P. Lowdin. Adv. Quant. Chem., 5, 185 (1970)
  • И.Р. Шеин, R. Wilks, A. Moewes, Э.З. Курмаев, Д.А. Зацепин, А.И. Кухаренко, С.О. Чолах. ФТТ, 50, 594 (2006)
  • Landolt-Bornstein. Numerical Date and Functional Relationship in Science and Technology, ed. by O. Madelung (Springer Verlag, Berlin, 1987) New Series III, 22a, 451
  • С.И. Борисенко. ФТП, 37, 588 (2003)
  • T.B. Fehlberg. Jpn. J. Appl. Phys., 45, L1090 (2006).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.