"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффективные гамильтонианы для гетероструктур на основе прямозонных полупроводников AIIIBV. Kp-теория возмущения и метод инвариантов
Глинский Г.Ф.1, Миронова М.С.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Предлагается последовательная процедура получения эффективных k-0.4ptp-гамильтонианов для произвольных гетероструктур на основе прямозонных полупроводников с одинаковыми параметрами решеток. Потенциал гетероструктуры описывается с помощью характеристических функций fl( a), указывающих на замещение атомов опорного кристалла в подрешетке l в элементарной ячейке a. Развивается k-0.4ptp-теория возмущения для гетероструктур, учитывающая эффекты рассеяния носителей заряда на дополнительном локальном потенциале, возникающем в результате замещения атомов. Предлагается способ построения соответствующих эффективных k-0.4ptp-гамильтонианов методом инвариантов, который учитывает микроскопическую симметрию интерфейсов. Полученные гамильтонианы наряду с зонными параметрами содержат дополнительные параметры, не имеющие аналогов в объемных материалах. В качестве примера дается вывод эффективных гамильтонианов зон Gamma1, Gamma6, Gamma15 и Gamma8 в гетероструктурах на основе кубических полупроводников AIIIBV с замещением атомов в одной подрешетке.
  • O. von Roos. Phys. Rev. B, 27, 7547 (1983)
  • B.A. Foreman. Phys. Rev. B, 76, 045 327 (2007)
  • B.A. Foreman. Phys. Rev. B, 48, 4964 (1993)
  • A.V. Rodina, A.Yu. Alekseev, Al.L. Efros, M. Rosen, B.K. Meyer. Phys. Rev. B, 65, 125 302 (2002)
  • A.V. Rodina, A.Yu. Alekseev. Phys. Rev. B, 73, 115 312 (2006)
  • E.L. Ivchenko, A.Yu. Kaminski, U. Rossler. Phys. Rev. B, 54, 5852 (1996)
  • H.C. Liu. Appl. Phys. Lett., 51, 1019 (1987)
  • Y. Fu, M. Willander, E.L. Ivchenko, A.A. Kiselev. Phys. Rev. B, 47, 13 498 (1993)
  • G.F. Glinskii, V.A. Lakisov, A.G. Dolmatov, K.O. Kravchenko. Nanotechnology, 11, 233 (2000)
  • L. Leibler. Phys. Rev. B, 12, 4443 (1975)
  • L. Leibler. Phys. Rev. B, 16, 863 (1977)
  • M.G. Burt. J. Phys.: Condens. Matter, 4, 6651 (1992)
  • E.E. Takhtamirov, V.A. Volkov. Phys. Low-Dim. Structur., 10/11, 407 (1995)
  • E.E. Takhtamirov, V.A. Volkov. Semicond. Sci. Technol., 12, 77 (1997)
  • Э.Е. Тахтамиров, В.А. Волков. УФН, 167, 1123 (1997)
  • Г.Ф. Глинский, К.О. Кравченко. ФТТ, 40, 872 (1998)
  • G.F. Glinskii, K.O. Kravchenko. cond-mat/9808174 (unpublished)
  • Э.Е. Тахтамиров, В.А. Волков. ЖЭТФ, 116, 1843 (1999)
  • Г.Ф. Глинский, К.О. Кравченко. Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ", N 1, 20 (1999)
  • Г.Ф. Глинский, В.А. Лакисов. Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ", N 1, 5 (2000)
  • А.Г. Долматов, Г.Ф. Глинский. Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ", N 1, 10 (2000)
  • B.A. Foreman. Phys. Rev. B, 72, 165 344 (2005)
  • B.A. Foreman. Phys. Rev. B, 72, 165 345 (2005)
  • Г.Ф. Глинский. В кн.: Нанотехнология: физика, процессы, диагностика, приборы, под ред. В.В. Лучинина, Ю.М. Таирова (М., Физматлит, 2006) с. 16
  • Г.Ф. Глинский. Полупроводники и полупроводниковые гетероструктуры: симметрия и электронные состояния (СПб., Технолит, 2008)
  • E. Takhtamirov, R.V.N. Melnik. New J. Phys., 12, 123 006 (2010)
  • P.C. Klipstein. Phys. Rev. B, 81, 235 314 (2010)
  • L.J. Sham. Phys. Rev., 150, 720 (1966)
  • Г.Ф. Глинский, М.С. Миронова. Изв. СПбГЭТУ "ЛЭТИ", N 2, 8 (2013)
  • G.F. Glinskii, M.S. Mironova. J. Phys.: Conf. Ser., 461, 012 040 (2013)
  • Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  • Г.Ф. Глинский. Методы теории групп в квантовой механике (СПб., Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2012)
  • А.И. Шпаковский, Г.Ф. Глинский. Науч.-техн. вед. СПбГПУ, N 3, 56 (2009)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.