"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Транспорт заряда в нанокомпозитных структурах кремний-SiО2, кремний-ТiО2
Милованов Ю.С.1, Кузнецов Г.В.1, Скрышевский В.А.1, Стюпан С.М.1
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 17 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Приведены результаты экспериментальных исследований дисперсных нанокомпозитных систем кремний-SiО2 и кремний-ТiО2, отличающихся физико-химическими и диэлектрическими свойствами оксидных компонентов. Параметры нанокомпозитных структур исследованы методами ИК-спектроскопии и импеданс-спектроскопии. Показано, что механизмы прохождения носителей заряда в таких структурах определяются как свойствами нанокристаллитов кремния и соответствующего оксида, так и процессами взаимодействия на межзеренных границах.
  • P. Bettotti, M. Cazzanelli, L. D. Negro, B. Danese, Z.Gaburro, C.J. Oton, G.V. Prakash, L. Pavesi. J. Phys.: Condens. Matter., 14, 8253 (2002)
  • L. Pavesi. Materials Today, 18 (2005)
  • X.X. Wang, J.G. Zhang, L. Ding, B.W. Cheng, W.K. Ge, J.Z. Yu, Q.M. Wang. Phys. Rev. B, 72, 195 313 (2005)
  • K. Seino, F. Bechstedt, P. Kroll. Nanotechnology, 20, 135 702 (2009)
  • A.Yu. Karlash, G.V. Kuznetsov, V.A. Skryshevsky, A.I. Tsiganova, Yu.E Zakharko. J. Phys. D: Appl. Phys., 43, 335 405 (2010)
  • L. Miao, P. Jin, K. Kaneko et al. Mater. Chem. Phys., 114 (1), 217 (2009)
  • S.I. Rembeza, N.N. Kosheleva, E.S. Rembeza, T.V. Svistova, Yu.V. Shmatova, Gang Xu. Semiconductors, 45 (5), 612 (2011)
  • M.Р. Fedotova, G.A. Voronov, E.Y. Emel'yanova, N.I. Radishevskaya, O.V. Vodyankina. J. Phys. Chem., 83 (8), 1371 (2009)
  • А.Yu. Karlach, G.V. Kuznetsov, S.V. Litvinenko, Yu.S. Milovanov, V.A. Skryshevsky. Semiconductors, 44 (10), 1387 (2010)
  • A.U. Limaye, J.J. Helble. J. Amer. Ceram. Soc., 86 (2), 273 (2003)
  • И.Я.Сулим, Н.В. Борисенко, В.М. Гунько. Химия, физика и технология поверхности, 14, 391 (2008)
  • A.A. Gorban, S.А. Synyakyna, S.V. Gorban, I.А. Danilenko, T.E. Konstantinova. Nanosystems, Nanomater. Nanotechnol., 7 (4), 1195 (2009)
  • A.V. Ershov, D.I. Tetelbaum, I.A. Chugrov, A.I. Mashin, A.N. Mikhaylov, A.V. Nezhdanov, A.A. Ershov, I.A. Karabanova. Semiconductor, 45 (6), 747 (2011)
  • G. Cantele, E. Degoli, E. Luppi, R. Magri, D. Ninno, O. Bisi, S. Ossicini, G. Iadonisi. Phys. Status Solidi C, 2, 3263 (2005)
  • M. Nogami, R. Nagao, Cong Wong. J. Phys. Chem. B, 102, 5772 (1998)
  • Chao Cao, Yao He, J. Torras, E. Deumens, S.B. Trickey, Hai-Ping Cheng. J. Chem. Phys., 126, 211 (2007)
  • L. Glasser. Chem. Rev., 75 (1), 21 (1975)
  • Ed.E. Barsoukov, J.R. Macdonald. Impedance spectroscopy: theory, experiment, and applications (N.Y., Willey 2005)
  • A.J. Bard, L.R. Faulkner. Electrochemical methods. Fundamentals and applications (N.Y.: Willey, 2001)
  • B. Stuart. Infrared Spectroscopy: Fundamentals and Applications (N.Y., Willey, 2004)
  • V.P. Tolstoy, I.V. Chernyshova, V.A. Skryshevsky. Handbook of infrared spectroscopy of ultrathin films (N.Y., Willey, 2003)
  • S.A. Alekseev, L V. Gulina, G.V. Kuznetsov, S.V. Litvinenko, V.V. Lysenko, V.А. Skryshevsky, V.Р. Tolstoy, D. Barbier, E. Garrone, F. Geobaldo, A. Venturello. Intern. J. Hydrogen Energy, 35, 6773 (2010)
  • Th. Dittrich, V. Zinchuk, V. Skryshevsky, I. Urban, O. Hilt. J. Appl. Phys., 98, 104 501 (2005)
  • I.V. Antonova, V.A. Skuratov, J. Jedrzejewski, I. Balberg. Semiconductors, 44 (4), 501 (2010)
  • O. Bisi, S. Ossicini, L. Pavesi. Surf. Sci. Reports, 38, 1 (2000)
  • Р.В. Плетнев [и др.] (М., Наука, 1986)
  • R. Tromp, G.W. Rubloff, P. Balk, F.K. LeGoues. Phys. Rev. Lett., 55 (21) 2332 (1985)
  • A. Zenkevich, Yu. Lebedinskii, G. Scarel, M. Fanciulli, A. Baturin, N. Lubovin. Microelectron. Reliab., 47, 657 (2007)
  • N. Daldosso, G. Das, S. Larcheri et al. J. Appl. Phys., 101 (11), 113 510 (2007)
  • А.И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии (М., Физматлит, 2005)
  • Mao-Hua Du, A. Kolchin, Hai-Ping Chenga. J. Chem. Phys., 119 (131), 6418 (2003)
  • E.A. Agafonova, M.N. Martyshov, P.A. Forsh., V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov. Semiconductors, 44 (3), 367 (2010)
  • N.N. Kononov, S.G. Dorofeev, A.A. Ishchenko, R.A. Mironov, V.G. Plotnichenko, E.M. Dianov. Semiconductors, 45 (8), 1068 (2011)
  • N.A. Poklonski, N.I. Gorbachuk, D. Aleinikova. Phys. Solid State, 53 (3), 462 (2011)
  • V.G. Golubev, L.E. Morozova, A.B. Pevtsov, N.A. Feoktistov. Semiconductors, 33 (1), 75 (1999)
  • Е.Н. Лукьянова, С.Н. Козлов. Письма ЖТФ, 27 (11), 1 (2001)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.