"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Планарные светоизлучающие микрорезонаторы на основе гидрогенизированного аморфного карбида кремния
Медведев А.В.1, Феоктистов Н.A.1,2, Грудинкин С.A.1,2, Дукин А.А.1, Голубев В.Г.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

Методом плазмохимического газофазного осаждения изготовлены планарные микрорезонаторы Фабри-Перо с излучающим на границе видимого и инфракрасного диапазонов спектра активным слоем. Микрорезонаторы состоят из активного слоя a-Si1-xCx : H с повышенным содержанием углерода и распределенных брэгговских отражателей из чередующихся неизлучающих слоев a-Si1-xCx : H/a-SiO2. Активный слой и распределенные брэгговские отражатели выращены в едином технологическом цикле. Благодаря высокому оптическому контрасту и малому поглощению слоев распределенных брэгговских отражателей достигнута большая добротность микрорезонаторов (Q=316) и высокая степень направленности излучения из микрорезонаторов при трех парах слоев в распределенных брэгговских отражателях. Интенсивность фотолюминесценции при комнатной температуре оказывается на 2 порядка выше по сравнению с интенсивностью излучения идентичного слоя a-Si1-xCx : H без распределенных брэгговских отражателей. Из сопоставления экспериментальных и рассчитанных методом матриц переноса с учетом дисперсии вещественной и мнимой частей показателя преломления a-Si1-xCx : H спектров пропускания сделана оценка степени систематического отклонения толщин слоев в распределенных брэгговских отражателях и определена верхняя граница коэффициента поглощения в слоях a-Si1-xCx : H.
  • F. Giorgis, C. Vinegoni, L. Pavesi. Phys. Rev. B, 61 (7), 4693 (2000)
  • F. Giorgis, P. Mandracci, L. Dal Negro, C. Mazzoleni, L. Pavesi. J. Non-Cryst. Sol., 266--269, 588 (2000)
  • J.-F. Lelievre, J. De la Torre, A. Kaminski, G. Bremond, M. Lemiti, R. El Bouayadi, D. Araujo, T. Epicier, R. Monna, M. Pirot, P.-J. Ribeyron, C. Jaussaud. Thin Sol. Films, 511--512, 103 (2006).
  • R.S. Sussmann, R. Ogden. Phyl. Mag. B, 44 (1), 137 (1981)
  • I. Watanabe, Y. Hata, A. Morimoto, T. Shimizu. Jpn. J. Appl. Phys. Lett., 21 (10), 613 (1982)
  • В.А. Васильев, А.С. Волков, Е. Мусабеков, Е.И. Теруков, В.Е. Челноков, С.В. Чернышев, Ю.М. Шерняев. ФТП, 24 (4), 710 (1990)
  • L.R. Tessler, I. Solomon. Phys. Rev. E, 52 (15), 10 962 (1995)
  • T. Ma, J. Xu, J. Du, W. Li, X. Huang, K. Chen. J. Appl. Phys., 88 (11), 6408 (2000)
  • J. Xu, L. Yang, Y. Rui, J. Mei, X. Zhang, W. Li, Z. Ma, L. Xu, X. Huang, K. Chen. Sol. St. Commun., 133 (9), 565 (2005)
  • K. Sel, I. Gunes. Thin Sol. Films, 520, 7062 (2012)
  • F. Giorgis. Appl. Phys. Lett., 77(4), 522 (2000)
  • M. Bayindir, S. Tanriseven, A. Aydinli, E. Ozbay. Appl. Phys. A, 73 (1) 125 (2001)
  • A. Serpenguzel, S. Tanriseven. Appl. Phys. Lett., 78 (10), 1388 (2001)
  • V. Ballarini, G. Barucca, E. Bennici, C.F. Pirri, C. Ricciardi, E. Tresso, F. Giorgis. Physica E, 16 (3-4), 591 (2003)
  • C. Ricciardi, V. Ballarini, M. Galli, M. Liscidini, L.C. Andreani, M. Losurdo, G. Bruno, S. Lettieri, F. Gesuele, P. Maddalena, F. Giorgis. J. Non-Cryst. Sol., 352 (9-20), 1294 (2006)
  • B. Qian, S. Chen, D.Y. Chen, J.W. Wei, J. Xu, P.G. Han, W. Li, L. Xu, K.J. Chen. Thin Sol. Films, 516 (6), 1120 (2008)
  • J. Xu, J. Mei, D. Chen, S. Chen, W. Li, K. Chen. Diamond Relat. Mater., 14 (11-12), 1999 (2005)
  • D. Chen, J. Xu, B. Qian, S. Chen, J. Mei, W. Li, L. Xu, K. Chen. Mater. Chem. Phys., 111 (2-3), 279 (2008)
  • A.A. Dukin, N.A. Feoktistov, V.G. Golubev, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, A.V. Sel'kin. Appl. Phys. Lett., 77 (19), 3009 (2000)
  • В.Г. Голубев, А.А. Дукин, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, А.В. Селькин, Н.А. Феоктистов. ФТП, 35 (10), 1266 (2001)
  • A.A. Dukin, N.A. Feoktistov, V.G. Golubev, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, A.V. Sel'kin. J. Non-Cryst. Sol., 299-302 (Pt 1), 694 (2002)
  • A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, S.A. Grudinkin, N.A. Feoktistov, I.T. Serenkov, V.G. Golubev. Nanotechnology, 19 (31), 315 201 (2008)
  • А.В. Медведев, Н.А. Феоктистов, А.Б. Певцов, В.Г. Голубев. ФТП, 39 (11), 1403 (2005)
  • В.Г. Голубев, А.А. Дукин, А.В. Медведев, А.Б. Певцов, А.В. Селькин, Н.А. Феоктистов. ФТП, 37 (7), 860 (2003)
  • A.A. Dukin, N.A. Feoktistov, V.G. Golubev, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, A.V. Sel'kin. Phys. Rev. E, 67 (4), 046 602 (2003)
  • Y. Tawada, K. Tsuge, M. Kondo, H. Okamoto, Y. Hamakawa. J. Appl. Phys., 53 (7), 5273 (1982)
  • C. Summonte, R. Rizzoli, M. Bianconi, A. Desalvo, D. Iencinella, F. Giorgis. J. Appl. Phys., 96 (7), 3987 (2004)
  • A. Gorin, A. Jaouad, E. Grondin, V. Aimez, P. Charette. Optics Express, 16 (18), 13 509 (2008)
  • A.B. Pevtsov, A.V. Zherzdev, N.A. Feoktistov, G. Juska, T. Muschik, R. Schwarz. Int. J. Electron., 78 (2), 289 (1995)
  • N.A. Feoktistov, N.L. Ivanova, L.E. Morozova, Yu.A. Nikulin, A.P. Onokhov, A.B. Pevtsov, R. Schwarz. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 420, 189 (1996)
  • Fu Guang-Sheng, Wang Xin-Zhan, Lu Wan-Bing, Dai Wan-Lei, Li Xing-Kuo, Yu Wei. Chin. Phys. B, 21 (10), 107 802 (2012)
  • K.D. Chokuette. MRS Bulletin, 27 (7), 507 (2002)
  • S. Li, Y. Rui, Y. Cao, J. Xu, K. Chen. Front. Optoelectron., 5 (1), 107 (2012)
  • M. Born, E. Wolf. Principles of Optics (Oxford, Pergamon, 1975)
  • А.В. Медведев, А.А. Дукин, А.А. Певцов, C. Sibilia, Н.А. Феоктистов, В.Г. Голубев. Письма ЖТФ, 33 (22), 73 (2007)
  • A.A. Dukin, N.A. Feoktistov, S.A. Grudinkin, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, V.G. Golubev, M. Centini, C. Sibilia. J. Appl. Phys., 103 (6), 063 101 (2008).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.