"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Туннельный диод с отрицательным дифференциальным сопротивлением и кварцевым резонатором на базе конденсатора p+-Si/нано-SiO2/n+-Si
Карева Г.Г.1, Векслер М.И.2
1Санкт-Петербургский государственный университет (физический факультет), Санкт-Петербург, Старый Петергоф, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 декабря 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

В целях демонстрации расширения функциональных возможностей простейшего конденсатора металл-окисел-полупроводник рассматривается структура с гетеропереходом p+-Si/нано-SiO2, в которой металлический электрод заменен сильно вырожденным n+-Si. В результате получается туннельный диод с отрицательным дифференциальным сопротивлением и кварцевым резонатором, потенциально превосходящий соответствующий диод Эсаки по своим электрическим характеристикам, управляемым не только уровнем легирования, но и толщиной SiO2.
  • Y.-C. Yeo, T.-J. King, C. Hu. IEEE Trans. Electron Dev., ED-50 (4), 1027 (2003)
  • J.C. Ranuarez, M.J. Deen, C.-H. Chen. Microelectron. Reliab., 46 (12), 1939 (2006)
  • Г.Г. Карева, М.И. Векслер. ФТП, 47 (8) 1087 (2013)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х кн. (М., Мир, 1984) кн. 2, гл. 9
  • A. Schenk. Advanced physical models for silicon device simulation (Wien, Springer, 1998) Ch. 5
  • М.И. Векслер, С.Э. Тягинов, Ю.Ю. Илларионов, Y.K. Sing, A.D. Shenp, В.В. Федоров, Д.В. Исаков. ФТП, 47 (5), 675 (2013)
  • D. Klaassen, J. Slotboom, H. de Graaff. Sol. St. Electron., 35 (2), 125 (1992)
  • В.Г. Андросова, В.Н. Банков, А.Н. Дикиджи, В.А. Ильичев, А.Е. Караульник, П.Г. Поздняков, С.В. Рахманинов, И.М. Федотов, В.Н. Христофоров. Справочник по кварцевым резонаторам, под ред. П.Г. Позднякова (М., Связь, 1978)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.