Comparative investigation of GaAsSb/InGaAs type-II and InP/InGaAs type-I doped--channel field--effect transistors
Wu Yi-Chen1, Tsai Jung-Hui2, Chiang Te-Kuang1, Chiang Chung-Cheng2, Wang Fu-Min1
1Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, 811 Kaohsiung, Taiwan
2Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, 824 Kaohsiung County, Taiwan
Поступила в редакцию: 1 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.
DC performance of GaAsSb/InGaAs type-II and InP/InGaAs type-I doped-channel field-effect transistors (DCFETs) is demonstrated and compared by two-dimensional simulated analysis. As compared with the traditional InP/InGaAs DCFET, the GaAsSb/InGaAs DCFET exhibits a higher drain current of 8.05 mA, a higher transconductance of 216.24 mS/mm, and a lower gate turn-on voltage of 0.25 V for the presence of a relatively large conduction band discontinuity (Delta Ec~0.4 eV) at GaAsSb/InGaAs heterostructure and the formation of two-dimensional electron gas in the n +-InGaAs doping channel. However, due to the tunneling effect under large gate-to-source bias, it results in considerably large gate leakage current in the GaAsSb/InGaAs DCFET.
- Y.J. Chen, W.C. Hsu, Y.W. Chen, Y.S. Lin, R.T. Hsu. Sol. St. Electron., 49, 163 (2005)
- T. Suemitsu, T. Ishii, H. Yokoyama, T. Enoki, Y. Ishii, T. Tamamura. Jpn. J. Appl. Phys., 38, L154 (1999)
- J.H. Tsai, C.H. Huang, J.J. Ou-Yang, Y.T. Chao, J.C. Jhou, Y.R. Wu. Thin Sol. Films, 547, 267 (2013)
- S.J. Yu, W.C. Hsu, Y.J. Chen, C.L. Wu. Sol. St. Electron., 50, 291 (2006)
- Y.J. Chen, W.C. Hsu, Y.W. Chen, Y.S. Lin, R.T. Hsu. Sol. St. Electron., 49, 163 (2005)
- J.H. Tsai, D.F. Guo, W.S. Lour. Semiconductors, 45, 1231 (2011)
- Y. Oda, K. Kurishima, N. Watanabe, M. Uchida, T. Kobayashi. Proc. Int. Conf. Indium Phosphide and Related Mater., 92 (2006)
- J.H. Tsai, W.S. Lour, D.F. Guo, W.C. Liu, Y.Z. Wu, Y.F. Dai. Semiconductors, 44, 1096 (2010)
- SILVACO 2013 Atals User's Manual Editor I (SILVACO Int. Santa Clara, CA, USA)
- J. Hu, X.G. Xu, J.A.H. Stotz, S.P. Watkins, A.E. Curzon, M.L.W. Thewalt, N. Matine, C.R. Bolognesi. Appl. Phys. Lett., 73, 2799 (1998)
- M. Peter, N. Herres, F. Fuchs, K. Winkler, K.H. Bachem, J. Wagner. Appl. Phys. Lett., 74, 410 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук