Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Адаптация модели туннелирования в системе металл/ CaF₂/Si(111) к использованию в симуляторах МДП-приборов

Векслер М.И.¹, Илларионов Ю.Ю.^1,2, Тягинов С.Э.^1,2, Grasser T.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²TU Vienna, Institute for Microelectronics, Vienna, Austria

Поступила в редакцию: 20 мая 2014 г.

Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложен вариант упрощения модели туннельного переноса электронов через тонкий слой кристаллического фторида кальция в кремний (111) для последующей имплементации в симуляторы полупроводниковых приборов. Состоятельность подхода доказана сопоставлением данных моделирования по упрощенным формулам с точными расчетами и экспериментальными данными. Подход применим для вычисления туннельных токов в структурах с любыми кристаллическими диэлектриками на Si (111).

M. Watanabe, Y. Iketani, M. Asada. Jpn. J. Appl. Phys., 39, L964 (2000)
M. Watanabe, T. Funayama, T. Teraji, N. Sakamaki. Jpn. J. Appl. Phys., 39, L716 (2000)
T. Waho, F. Yanagawa. IEEE Electron. Dev. Lett., 9, 548 (1988)
М.И. Векслер, Ю.Ю. Илларионов, С.М. Сутурин, В.В. Федоров, Н.С. Соколов. ФТТ, 52 (11), 2205 (2010)
Yu.Yu. Illarionov, M.I. Vexler, S.M. Suturin, V.V. Fedorov, N.S. Sokolov, K. Tsutsui, K. Takahashi. Microelectron. Eng., 88 (7), 1291 (2011)
М.И. Векслер, С.Э. Тягинов, Ю.Ю. Илларионов, Yew Kwang Sing, Ang Diing Shenp, В.В. Федоров, Д.В. Исаков. ФТП, 47 (5), 675 (2013)
M. Depas, B. Vermeire, P.W. Mertens, R.L. Van Meirhaeghe, M.M. Heyns. Sol. St. Electron., 38 (8), 1465 (1995)
MINIMOS-NT User's Guide (Institute for Microelectronics, TU Wien, Austria)
М.И. Векслер, С.Э. Тягинов, А.Ф. Шулекин, И.В. Грехов. ФТП, 40 (9), 1137 (2006)
A. Schenk. Advanced Physical Models for Silicon Device Simulations (Springer, Wien-N.Y., 1998) chap.5
C. Jungemann, B. Meinerzhagen. Hierarchical Device Simulation (Springer, Wien-N.Y., 2003)
С.Э. Тягинов, Д.С. Осинцев, Ю.Ю. Илларионов, J.M. Park, H. Enichlmair, М.И. Векслер, T. Grasser. Тез. докл. XI РКФП (СПб., 2013) c. 441

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель