Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электронно-микроскопические исследования слоя алюминия, выращенного на вицинальной поверхности подложки арсенида галлия

Ловыгин М.В.¹, Боргардт Н.И.¹, Казаков И.П.², Зайбт М.³

¹Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

National Research University of Electronic Technology, Zelenograd, Moscow, Russia

²Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

³IV. Physikalisches Institut, Universitat Gottingen, Gottingen, Germany

Поступила в редакцию: 4 августа 2014 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методами просвечивающей электронной микроскопии исследован тонкий слой Al, выращенный методом молекулярно-пучковой эпитаксии на разориентированной подложке GaAs(100). Электронографические данные, светлопольные, темнопольные и высокоразрешающие изображения позволили установить наличие в слое зерен Al трех ориентаций: Al(100), Al(110), Al(110)R. Особенности структуры границы между зернами различной ориентации и подложкой изучены с применением цифровой обработки высокоразрешающих изображений. На основе количественного анализа темнопольных изображений определены относительные доли и размеры зерен разных ориентаций. Установлено, что по сравнению со слоем, выращенным на сингулярной подложке, наличие атомных ступеней на ее поверхности обусловливает увеличение доли и размера зерен Al(110)R и уменьшение доли зерен Al(100).

Ж.И. Алферов. ФТП, 32, 3 (1997)
Ж.И. Алферов, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев. ФТП, 38, 937 (2004)
J.P. Reithmaier. In: Nanostructured Materials for Advanced Technological Applications, ed. by J.P. Reithmaier, P. Petkov, W. Kulisch and C. Popov (Dordrecht, Springer, 2008) p. 447
R.R. LaPierre, A.C.E. Chia, S.J. Gibson, C.M. Haapamaki, J. Boulanger, R. Yee, P. Kuyanov, J. Zhang, N. Tajik, N. Jewell, K.M.A. Rahman. Phys. Status Solidi RRL, 7, 815 (2013)
B.L. Sharma. Metal-semiconductor Schottky barrier junctions and their applications (N.Y., Plenum Press, 1984)
W. Monch. Electronic Structure of Metal-Semiconductor Contancts (Dordrecht, Springer Netherlands, 1990)
Z. Liliental-Weber, E.R. Weber, N. Newman. In: Contacts to semiconductors: fundamentals and technology ed. by L.J. Brillson. (Park Ridge, Noyes Publications, 1993) p. 416
J.-S. Huang, V. Callegari, P. Geisler, C. Bruning, J. Kern, J.C. Prangsma, X. Wu, T. Feichtner, J. Ziegler, P. Weinmann, M. Kamp, A. Forchel, P. Biagioni, U. Sennhauser, B. Hecht. Nat. Commun., 1 : 150 (2010)
Y.-J. Lu, J. Kim, H.-Y. Chen, C. Wu, N. Dabidian, C.E. Sanders, C.-Y. Wang, M.-Y. Lu, B.-H. Li, X. Qiu, W.-H. Chang, L.-J. Chen, G. Shvets, C.-K. Shih, S. Gwo. Science, 337, 450 (2012)
S.-W. Lin, J.-Y. Wu, S.-D. Lin, M.-C. Lo, M.-H. Lin, C.-T. Liang. Jpn. J. Appl. Phys., 52, 045 801 (2013)
J. Massies, J. Chaplart, N.T. Linh. Sol. St. Commun., 32, 707 (1979)
P.M. Petroff, L.C. Feldman, A.Y. Cho, R.S. Williams. J. Appl. Phys., 52, 7317 (1981)
G. Landgren, R. Ludeke, C. Serrano. J. Cryst. Growth, 60, 393 (1982)
C.J. Kiely, D. Cherns. Phil. Mag. A, 59 (1), 1 (1989)
S.B. Samavedam, E.A. Fitzgerald. J. Appl. Phys., 81, 3108 (1997)
Y. Sun, K. Li, J. Dong, X. Zeng, S. Yu, Y. Zhao, C. Zhao, H. Yang. J. Mater. Sci: Mater. Electron., 25, 581 (2014)
Y.S. Luo, Y.-N. Yang, J.H. Weaver, L.T. Florez, C.J. Palmstrm. Phys. Rev. B, 49 (3) (1994)
F. Ernst, M. Ruhle. High resolution imaging and spectrometry of materials (Berlin, Springer Verlag, 2003) p. 69--118
A. Rosenauer. Transmission Electron Microscopy of Semiconductor Nanostructures: Analysis of Composition and Strain State (Berlin, Springer Berlin / Heidelberg, 2003)
Л.М. Сорокин, Л.П. Ефименко, А.Е. Калмыков, Ю.И. Смолин. ФТП, 46, 953 (2003)
R. Ludeke, L.L. Chang, L. Esaki. Appl. Phys. Lett., 23, 201 (1973)
Y. Cho, P.D. Dernier. J. Appl. Phys., 49, 3328 (1978)
П. Хирш, А. Хови, Р. Николсон, Д. Пэшли, М. Уэлан. Электронная микроскопия тонких кристаллов (М., Мир, 1968) гл. 15, с. 363
Р. Гонсалес, Р. Вудс. Цифровая обработка изображений (М., Техносфера, 2005) с. 756
http: // rsb.info.nih.gov/ij/index.html
A.K. Jain. Fundamentals of Digital Image Processing (N.Y., Random House, 1989) p. 394

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель