"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоэлектрические характеристики структур металл- Ga2O3-GaAs
Калыгина В.М.1, Вишникина В.В.1, Петрова Ю.С.1, Прудаев И.А.1, Яскевич Т.М.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 27 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

Исследовано влияние термического отжига в аргоне и воздействие кислородной плазмы на фотоэлектрические свойства структур GaAs-Ga2O3-Me. Пленки оксида галлия получали фотостимулированным электрохимическим окислением эпитаксиальных слоев арсенида галлия n-типа проводимости. После нанесения оксидные пленки были аморфными, но обработка в кислородной плазме приводила к зарождению кристаллитов beta-Ga2O3. Пленки, не подвергнутые термическому отжигу, оказываются непрозрачными в видимом и УФ диапазонах, a в структурах на основе таких пленок отсутствует фототок. После отжига при 900oC в течение 30 мин пленки оксида галлия содержат только кристаллиты Ga2O3 beta-фазы и становятся прозрачными. При освещении Ga2O3-GaAs-структур в видимом диапазоне появляется фототок. Эффект можно объяснить поглощением излучения в GaAs. Величина фототока и его зависимость от напряжения определяются временем экспозиции в кислородной плазме. В УФ диапазоне чувствительность структур возрастает с уменьшением длины волны излучения, начиная с lambda≤ 230 нм. Это связано с поглощением в пленке Ga2O3. Уменьшение чувствительности структур с увеличением длительности воздействия кислородной плазмы может быть за счет введения дефектов как на границе Ga2O3-GaAs, так и в пленке Ga2O3.
  • R. Droopad, M. Passlack, N. England, K. Rajagopalan, J. Abrokwah, A. Kummel. Microelectron. Eng., 80, 138 (2005)
  • O. Seok, W. Ahn, Y-S. Kim, M-W. Ha, M-K. Han. http://www.intechopen.com/books/semiconductor- technologies/gan-based-metal-oxide-semiconductor-devices
  • S.K. Gupra, J. Sinh, J. Akhtar. http://www.intechopen.com/books/physics-and-technology- of-silicon-carbide-devices/materials-and-processing-for-gate- dielectrics-on-silicon-carbide-sic-surface
  • S. Nakagomi, T. Moto, S. Takahashi, Y. Kokubun. Appl. Phys. Lett., 103, 072 105 (2013)
  • T. Oshima, T. Okuno, N. Arai, N. Suzuki, S. Ohira, S. Fujita. Appl. Phys. Express, 1, 011 202 (2008)
  • R. Suzuki, S. Nakagomi, Y. Kokubun, N. Arai, S. Ohira. Appl. Phys. Lett., 94, 222 102 (2009)
  • Y. Kokubun, K. Miura, F. Endo, S.Nakagomi. Appl. Phys. Lett., 90, 031 912 (2007)
  • F.K. Shan, G.X. Liu, G.H. Lee, I.S. Kim, B.C. Shin. J. Appl. Phys., 98, 023 504 (2005)
  • Y. Zhang, J. Yan, Q. Li, C. Qu, L. Zhang, T. Li. Physica B, 3079 (2011)
  • L. Kong, J. Ma, C. Luan, W. Mi, Y. Lv. Thin Solid Films, 520, 4270 (2012)
  • S-A. Lee, J-Y. Hwang, J-P. Kim, S-Y. Jeon, C-R. Cho. Appl. Phys. Lett., 89, 182 906 (2006)
  • В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, Е.П. Найден, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 46 (2), 278 (2012)
  • В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, С.Ю. Цупий, Т.М. Яскевич. ФТП, 47 (5), 598 (2013)
  • Т.М. Яскевич, Д.Л. Будницкий, В.М. Калыгина, Н.И. Кожинова, И.А. Прудаев, И.М. Егорова. Изв. вузов. Физика, 56 (8/3), 153 (2013)
  • Y. Kokubun, K. Miura, F. Endo, S. Nakagomi. Appl. Phys. Lett., 90, 031 912 (2007)
  • S.-T. Su, W.Y. Weng, C.J. Chiu, S.J. Chang. National Cheng Kung University. http://ir.lib.ncku.edu.tw/retrieve/104641/Effect+of+Thermal+ Annealing+on+Ga-=SUB=-2-=/SUB=-O-=SUB=-3-=/SUB=--Based+Solar-Blind+ Photodetectors+Prepared+by+RF+Sputter\_Abstract.pdf
  • В.М. Калыгина, А.Н. Зарубин, Е.П. Найден, В.А. Новиков, Ю.С. Петрова, М.С. Скакунов, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 45 (8), 1130 (2011)
  • В.М. Калыгина, К.И. Валиев, А.Н. Зарубин, Ю.С. Петрова, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. ФТП, 46 (8), 1027 (2012)
  • J. Hao, M. Cocivera. J. Appl. Phys. D: Appl. Phys., 35, 433 (2002)
  • В.М. Калыгина, В.В. Вишникина, А.Н. Зарубин, Ю.С. Петрова, М.С. Скакунов, О.П. Толбанов, А.В. Тяжев, Т.М. Яскевич. Изв. вузов. Физика, 56 (9), 11 (2013)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.