Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Низкотемпературная проводимость в монокристаллах CuGaS2
1Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан 
Поступила в редакцию: 16 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.
Методом Бриджмена-Стокбаргера получены монокристаллы CuGaS2, проведены рентгено-дифракционные и рамановские исследования. Показано, что при низких температурах проводимость имеет активационный характер: в области 100-300 K доминирует примесная проводимость с энергией активации акцепторов 12 мэВ, а при температурах ниже 100 K - моттовская проводимость, так называемая прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Оценены плотность локализованных состояний, средняя длина прыжка носителей заряда.
- J.L. Shay, J.H. Wernick. Ternary Chalcopyrite Compounds (Oxford, Pergamon, 1974)
- J.M. Stewart, W.S. Chen, W.E. Devany, R.A. Mickelsen. Ternary and Multinary Compounds, ed. by S.K. Deb, A. Zunger. (Pitsburgh, PA, Materials Research Society, 1987)
- S. Shirakata, K. Murakami, S. Isomura. Jpn. J. Appl. Phys., 28, 1728 (1989)
- Б.П. Захарченя, В.Л. Коренев. УФН, 175, 629 (2005)
- A.H. Romero, M. Cardona, R.K. Kremer, R. Lauck, G. Siegle, C. Hoch, A. Munoz, A. Schindler. Phys. Rev. B, 83, 195 208 (2011)
- А.А. Лаврентьев, Б.В. Габрельян, В.А. Дубейко, И.Я. Никифоров. Журн. структур. химии, 42, 463 (2001)
- H. Horinaka, Y. Yamamoto, T. Miyauchi. Jpn. J. Appl. Phys., 17, 521 (1978)
- J. Serrano, Ch. Schweitzer, C.T. Lin, K. Reimann, M. Cardona, D. Frohlich. Phys. Rev. B, 65, 125 110 (2002)
- B. Tell, H.M. Kasper. J. Appl. Phys., 44, 4988 (1973)
- Phil Won Yu, D.L. Downing, Y.S. Park. J. Appl. Phys., 45, 5283 (1974)
- M. Akdogan, R.R. Eryigit. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 7493 (2002)
- Б.М. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- Г.Л. Беленький, Н.А. Абдуллаев, В.Н. Зверев, В.Я. Штейншрайбер. Письма ЖЭТФ, 47, 498 (1988)
- C. Bellabarba, J. Gonzalez, C. Rincon. Phys. Rev. B, 53, 7792 (1996)
- А.В. Мудрый, А.В. Иванюкович, М.В. Якушев, Р. Мартин, А. Саад. ФТП, 42, 31 (2008)
- Ф.Н. Абдуллаев, Т.Г. Керимова, Г.Д. Султанов, Н.А. Абдуллаев. ФТТ, 48, 1744 (2006)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
