Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Моделирование процессов образования радиационных дефектов в гетероструктурах с самоформирующимися наноостровками Ge(Si)/Si(001) при облучении нейтронами
1Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 22 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.
Разработана программа TRISQD для компьютерного моделирования процессов образования радиационных дефектов при корпускулярном облучении полупроводниковых гетероструктур с нановключениями линзообразной формы. С ее помощью исследованы процессы дефектообразования в p-i-n-диодах с встроенной в i-область 20-периодной решеткой самоформирующихся наноостровков Ge(Si) при облучении быстрыми нейтронами. Установлено, что доля наноостровков Ge(Si), в которых после попадания каскадов атомных смещений образуются точечные радиационные дефекты, составляет ≤3% от их полного числа в решетке. Более 94% дефектов локализованы в объеме p-, n-, i-областей диода и слоях кремния, разделяющих слои наноостровков Ge(Si).
- А.И. Якимов, А.В. Двуреченский, В.В. Кириенко, А.И. Никифоров. ФТТ, 47, 37 (2005)
- Н.А. Соболев. ФТП, 47, 182 (2013)
- А.В. Новиков, А.Н. Яблонский, В.В. Платонов, С.В. Оболенский, Д.Н. Лобанов, З.Ф. Красильник. ФТП, 44, 346 (2010)
- З.Ф. Красильник, К.Е. Кудрявцев, А.Н. Качемцев, Д.В. Лобанов, А.В. Новиков, С.В. Оболенский, Д.В. Шенгуров. ФТП, 45, 230 (2011)
- Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, К.Е. Кудрявцев, Д.В. Шенгуров, Ю.Н. Дроздов, А.Н. Яблонский, В.Г. Шмагин, З.Ф. Красильник, Н.Д. Захаров, P. Werner. ФТП, 43, 332 (2009)
- В.М. Кулаков, Е.А. Ладыгин, В.И. Шаховцов, Э. Вологдин, Ю. Андреев. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники (М., Сов. радио, 1976)
- J.P. Biersack, L.G. Huggmark. Nucl. Instr. Meth., 174, 257 (1980). http://www.srim.org
- D.I. Tetelbaum, D.V. Guseinov, V.K. Vasiliev, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.S. Korolev, S.V. Obolensky, A.N. Kachemtsev. Nucl. Inst. Meth. B, 326, 41 (2014)
- А.В. Скупов, В.Д. Скупов, С.В. Оболенский. ФХОМ, N 4, 5 (2006)
- А.В. Скупов, С.В. Оболенский. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 4, 37 (2007)
- S. Adachi. Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III--V and II-VI Semiconductors (John Wiley and Sons, Ltd, 2009)
- В.С. Вавилов. УФН, 167 (4), 407 (1997)
- И.М. Соболь. Численные методы Монте-Карло (М., Наука, 1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
