Предложен способ получения высококачественных радиационно стойких КНС-структур при создании слоя наноразмерных пор в сапфире с помощью ионной имплантации гелия, то есть путем создания центров рекомбинации носителей заряда, при этом одновременно улучшается и качество кремниевого слоя. Обсуждается вопрос о термостабильности пор с тем, чтобы на получившемся модифицированном образце КНС можно было создать микросхему. Слой пор, имея большую совокупную поверхность, существенно уменьшает время жизни носителей заряда, генерируемых во время облучения работающей микросхемы, что приводит к уменьшению заряда на границе раздела кремний--сапфир и к повышению радиационной стойкости.
S.S. Lau, J.W. Mayer, T.W. Sigmon. USA Patent, N 4177084 (1979)
I. Golecki. USA Patent, N 4588447 (1986)
M.L. Burgener, R.E. Reedy. USA Patent, N 5416043 (1995)
П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Нано- и микросистемная техника, 3, 54 (2008)
П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. ФТП, 43 (5), 627 (2009)
П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. ФТП, 44 (10), 1433 (2010)
П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Патент РФ, N 2427941 (2011)
П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. ФТП, 47 (2), 264 (2013)
А.А. Шелухин, Ю.В. Балакшин, В.С. Черныш, С.А. Голубков, Н.Н. Егоров, А.И. Сидоров. ФТП, 48 (4), 535 (2014)
В.М. Воротынцев, Е.Л. Шолобов, В.А. Герасимов. ФТП, 45 (12), 1662 (2011)
П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов. Неопубликованные материалы
S. Yerchi, U. Serincan, I. Dogan, S. Tokay, M. Genisel, A. Aydinli, R. Turan. J. Appl. Phys., 100 (7), 074 301 (2006)
S. Yerchi, M. Kulaksi, U. Serincan, M. Barozzi, M. Bersani, R. Turan. J. Appl. Phys., 102 (2),024 309 (2007)
C.J. Park, Y.H. Kwon, Y.H. Lee, T.W. Kang, H.Y. Cho, S.Kim, S.H. Choi, R.G. Elliman. Appl. Phys. Lett., 84 (14), 2667 (2004)
W.T. Spratt, M. Huang, C. Jia, L. Wang, V.K. Kamineni, A.C. Diebold, H. Xia. Appl. Phys. Lett., 99 (11), 111 909 (2011)
М.И. Гусева, Ю.В. Мартыненко. УФН, 13 (4), 671 (1981)
C.C. Griffioen, J.H. Evans, P.C. de Jong, A. van Veen. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 27 (3), 417 (1987)
H. Trinkaus, B. Hollander, St. Rongen, S. Mantl, H.-J. Herzog, J. Kuchebecker, T. Hackbarth. Appl. Phys. Lett., 76 (24), 32 (2000)
J. Cai, P.M. Mooney, S.H. Christiansen, H. Chen, J.O. Chu, J.A. Ott. J. Appl. Phys., 95 (10), 5347 (2004)