Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках "напряженный кремний-на-изоляторе" с тонким слоем окисла

Байдакова Н.А.^1,2, Бобров А.И.², Дроздов М.Н.^1,2, Новиков А.В.^1,2, Павлов Д.А.², Шалеев М.В.¹, Юнин П.А.^1,2, Юрасов Д.В.^1,2, Красильник З.Ф.^1,2

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 29 декабря 2014 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована возможность использования подложек на основе структур "напряженный кремний на-изоляторе" с тонким (25 нм) захороненным слоем окисла для роста светоизлучающих SiGe-структур. Показано, что в отличие от подложек "напряженный кремний-на-изоляторе" с толстым (сотни нм) оксидным слоем температурная стабильность подложек с тонким окислом значительно ниже. Отработаны методики химической и термической очистки поверхности таких подложек, позволяющие как сохранить упругие напряжения в тонком слое Si на окисле, так и обеспечить очистку поверхности от загрязняющих примесей. Продемонстрирована возможность роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии на таких подложках светоизлучающих SiGe-структур высокого кристаллического качества.

T.A. Langdo, M.T. Currie, A. Lochtefeld, R. Hammond, J.A. Carlin, M. Erdtmann, G. Braithwaite, V.K. Yang, C.J. Vineis, H. Badawi, M.T. Bulsara. Appl. Phys. Lett., 82, 4256 (2003)
T.A. Langdo, M.T. Currie, Z.-Y. Cheng, J.G. Fiorenza, M. Erdtmann, G. Braithwaite, C.W. Leitz, C.J.Vineis, J.A. Carlin, A. Lochtefeld, M.T. Bulsara, I. Lauer, D.A. Antoniadis, M. Somerville. Sol. St. Electron., 48, 1357 (2004)
S.H. Christiansen, R. Singh, I. Radu, M. Reiche, U. Gosele, D. Webb, S. Bukalo, B. Dietrich. Mater. Sci. Semicond. Proc., 8, 197 (2005)
B. Ghyselen, J.-M. Hartmann, T. Ernst, C. Aulnette, B. Osternaud, Y. Bogumilowicz, A. Abbadie, P. Besson, O. Rayssac, A. Tiberj, N. Daval, I. Cayrefourq, F. Fournel, H. Moriceau, C. Di Nardo, F. Andrieu, V. Paillard, M. Cabie, L. Vincent, E. Snoeck, F. Cristiano, A. Rocher, A. Ponchet, A. Claverie, P. Boucaud, M.-N. Semeria, D. Bensahel, N. Kernevez, C. Mazure. Sol. St. Electron., 48, 1285 (2004)
B. Pelloux-Prayer, M. Blagojevic, O. Thomas, A. Amara, A. Vladimirescu, B. Nikolic, G. Cesana, P. Flatresse. Faible Tension Faible Consommation (FTFC) (Paris, France, 2012) IEEE, p. 1
J. Mazurier, O. Weber, F. Andrieu, A. Toffoli, O. Rozeau, T. Poiroux, F. Allain, P. Perreau, C. Fenouillet-Beranger, O. Thomas, M. Belleville, O. Faynot. IEEE Trans. Electron. Dev., 58 (8), 2326 (2011)
http://www.soitec.com/pdf/ planar\_fd\_silicon \_technology\_competitive\_soc\_28nm.pdf
W. Kern. J. Electrochem. Soc., 137 (6), 1887 (1990)
S.H. Wolff, S. Wagner, J.C. Bean, R. Hull, J.M. Gibson. Appl. Phys. Lett., 55, 2017 (1989)
A. Ishizara, Y. Shiraki. Electrochem. Sci. Technol., 133, 666 (1986)
M.V. Shaleev, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy, Y.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik, O.A. Kuznetsov. Appl. Phys. Lett., 88, 011 914 (2006)
A.V. Novikov, M.V. Shaleev, A.N. Yablonskiy, O.A. Kuznetsov, Yu.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 22, S29 (2007)
M.V. Shaleev, A.V. Novikov, A.N. Yablonskiy, Y.N. Drozdov, D.N. Lobanov, Z.F. Krasilnik, O.A. Kuznetsov. Appl. Phys. Lett., 91, 021 916 (2007)
М.В. Шалеев, А.В. Новиков, Н.А. Байдакова, А.Н. Яблонский, О.А. Кузнецов, Д.Н. Лобанов, З.Ф. Красильник. ФТП, 45 (2), 202 (2011)
Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, К.Е. Кудрявцев, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев, Д.В. Шенгуров, В.Б. Шмагин, А.Н. Яблонский. ФТП, 42 (3), 291 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель