"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоприемники на основе CuInS2
Булярский С.В.1, Вострецова Л.Н.1, Гаврилов С.А.2
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2Национальный исследовательский университет МИЭТ", Москва, Зеленоград, Россия
Email: Kapiton04@yandex.ru
Поступила в редакцию: 23 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Показано, что процессы переноса носителей заряда, определяющих темновые вольт-амперные характеристики фотоприемников на основе CuInS2 и, следовательно, эффективность преобразования излучения, являются туннельно-рекомбинационными. Эти процессы происходят через электронные состояния внутри запрещенной зоны, имеющие энергию активации 0.2 эВ и концентрацию ~8·1016 см-3.
  • A. Catalano, Solar Energy Mater. Solar Cells, 41/42, 205 (1996)
  • R.W. Birkmire, Solar Energy Mater. Solar Cells, 65, 17 (2001)
  • H.W. Schock, R. Noufi, Prog. Photovoltaic. Res. Appl., 8, 151 (2000)
  • Н.А. Горюнова. Сложные алмазоподобные полупроводники (М.; Сов. радио, 1968)
  • Y. Tomm, S. Fiechter, J. Ceramic Proc. Res. 6, (2), 141 (2005)
  • В.Б. Залесский, В.М. Кравченко, Т.Р. Леонова, Л.М. Поликанин, Е.П. Зарецкая, С.Г. Петросян, Л.М. Кечиянц. Проблемы физики, математики и техники, N 1 (14), 27 (2013)
  • C.H. Henry. J. Appl. Phys., 51, 4494 (1980)
  • S. Siebentritt. Thin Sol. Films, 403-- 404, 1 (2002)
  • R. Klenk, P. Dobson, M. Falz, N. Janke, J. Kaer, I. Luck, A. Perez-Rodiguez, R. Scheer, E. Terzini. Proc. 16th EPVSEC (Glasgow, 2000)
  • K. Siemer, J. Klaer, I. Luck, J. Bruns, R. Klenk, D. Braunig. Solar Energy Mater. Solar Cells, 67, 159 (2001)
  • С.В. Булярский, А.С. Басаев. Изв. вузов, Поволжский регион", сер. Естественные науки, N 2 (5), 141 (2003)
  • С.В. Булярский, Н.С. Грушко. ЖЭТФ, 118 (11), 1222 (2000)
  • С.В. Булярский, Ю.В. Рудь, А.С. Кагарманов, Л.Н. Вострецова, О.А. Трифонов. ФТП, 43 (4), 460 (2009)
  • С.В. Булярский, Н.С. Грушко. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах (М., МГУ, 1995)
  • Н.С. Грушко, А.В. Лакалин, Е.А. Евстигнеева. Изв. вузов. Электроника, 2002. N 3, 48 (2002)
  • В.И. Гаман. Физика полупроводниковых приборов (Томск, Изд-во томского ун-та, 1989)
  • С.В. Булярский. Туннельно-рекомбинационные процессы в наноструктурированных элементах / С.В. Булярский (Palmarium academic publishing, 2014)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.