Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Механизмы деградации фотодиодов с барьером Шоттки на основе монокристаллов ZnS
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Email: stara_t@ukr.net
Поступила в редакцию: 31 марта 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.
Исследовано влияние ультрафиолетового излучения на электрические и спектральные характеристики фотодиодов с барьером Шоттки на основе монокристаллов ZnS. Установлено, что облучение приводит к уменьшению их фоточувствительности, а также к изменению вольт-амперных, вольт-фарадных характеристик и рельефа поверхности запирающего электрода. Показано, что основной причиной уменьшения фоточувствительности диодов является фотостимулированный дрейф подвижных доноров в поле барьера, который зависит от кристаллографической ориентации облучаемой поверхности. Другим фотостимулированным процессом, наблюдавшимся в исследованных диодах, является фотолиз кристалла. Он определяет в основном изменение электрических характеристик диодов, а также рельефа поверхности электрода при незначительном изменении фоточувствительности.
- Н.В. Горбенко, Л.А. Косяченко, В.П. Махний, М.К. Шейнкман. ФТП, 22 (9), 1651 (1987)
- Y. Yu, L. Luo, M. Wang, B. Wang, L. Zeng, C. Wu, J. Jie, J.-W. Liu, L. Wang, S.-H. Yu. Nanj Research, DOI: 10.1007/s12274-014-05787-S
- Н.В. Горбенко, Л.А. Косяченко, В.П. Махний, М.К. Шейнкман. ЖПС, 51 (2), 335 (1989)
- С.В. Аверин, П.И. Кузнецов, В.А. Житов, Н.В. Алкеев, В.М. Котов, Л.Ю. Захаров, Н.Б. Гладышева. ЖТФ, 82 (11), 49 (2012)
- M.Y. Chen, C.C. Chang. Jpn. J. Appl. Phys., 48 (11R), 112 201 (2009)
- В.В. Лосев, Б.М. Орлов, В.И. Стафеев. ФТП, 9 (1), 25 (1975)
- V.V. Losev. Semiconductors, 43 (13), 1700 (2009)
- Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, Ф.М. Павелец, М.П. Киселюк, Н.В. Ярошенко. ФТП, 44 (8), 1114 (2010)
- Ю.Н. Бобренко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Т.В. Семикина, Б.С. Атдаев. Функциональная микро- и наноэлектроника, 5, 29 (2009)
- Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг, ФТП, 37 (9), 1025 (2003)
- W. Tian, C. Zhang, T. Zhai, S.-L. Li, X. Wang, J. Liu, X. Jie, D. Liu, M. Liao, Y. Koide, D. Golberg, Y. Bando. Adv. Mater., 26 (19), 3087 (2014)
- L.V. Borkovska, N.O. Korsunska, I.V. Markevich, M.K. Sheinkman. In: New Developments in Condensed Matter Physics, ed. by J.V. Chang (Nova Science, 2006) p. 215
- Z. Morlin. Phys. Status Solidi, 2 (2), 205 (1962)
- P. Sviszt. Phys. Status Solidi, 4 (3), 631 (1964)
- P. Sviszt, P. Kovacs. Phys. Status Solidi, 9 (1), K5 (1965)
- P. Sviszt. Phys. Status Solidi A, 4 (2), K113 (1971)
- В.Н. Семенов, В.Г. Клюев, Е.В. Деревянко и др. Неорг. матер., 23 (2), 202 (1987)
- М.В. Кочкина, В.Г. Клюев, И.П. Старов, В.Н. Семенов. Конденсированные среды и межфазные границы, 5 (2), 204 (2003)
- И.А. Дроздова, Б. Ембергенов, Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич. ФТП, 27 (4), 674 (1993)
- J.R. Richardson, R.O. Baertsch. Solid Stat. Electron., 12 (5), 393 (1969)
- I. Markevich, N. Korsunska. T. Stara. Тез. докл. VI Укр. научн. конф. по физике полупроводников (Черновцы, Украина, 2013) с. 509
- А.П. Ахоян, Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич. Письма ЖТФ, 11 (1), 41 (1985)
- А.П. Ахоян, Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич. ЖПС, 49 (5), 859 (1988)
- Е.В. Орешко. Автореф. канд. дис. (Киев, ИФП, 1989)
- Н.Е. Корсунская, И.В. Маркевич, Т.В. Торчинская, М.К. Шейнкман. ФТП, 13 (3), 435 (1979)
- В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. Неравновесные процессы в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1981).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
