"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование кремния, легированного ионами цинка и отожженного в кислороде
Привезенцев В.В.1, Кириленко Е.П.2, Горячев А.Н.2, Батраков А.А.3
1Физико-технологический институт Российской академии наук, Moсква, Россия
2Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Зеленоград, Россия
3Национальный исследовательский университет "МЭИ", Москва, Россия
Email: v.privezentsev@mail.ru, epkirilenko@gmail.com, andrei.goryachev@mail.ru, batrakovaa@mail.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Представлены результаты исследования приповерхностного слоя кремния и формирования преципитатов в образцах СZ n-Si(100), имплантированного ионами 64Zn+ с дозой 5·1016 см-2 с энергией 50 кэВ при комнатной температуре с последующим окислением при температурах от 400 до 900oС. Визуализация поверхности проведена с помощью электронного микроскопа, а приповерхностного слоя с профилированием по глубине с помощью картирования элементов методом оже-электронной спектрокопии. Анализ распределения примесных ионов в кремнии проводился на времяпролетном вторично-ионном масс-спектрометре. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследовано химическое состояние атомов матрицы кремния и примесных атомов цинка и кислорода, а также уточнен фазовый состав имплантированного и отожженных образцов. После имплантации Zn наблюдаются два максимума его концентрации: на поверхности пластины и на глубине 70 нм, при этом на поверхности и в приповерхностном слое происходит образование наночастиц фазы металлического Zn и фазы ZnO с размером порядка 10 нм. После отжига в кислороде в Si вблизи поверхности обнаружена фаза ZnO·Zn2SiO4, а на глубине 50 нм фаза Zn·ZnO. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44102.8285
  • Metal Oxide Nanostructures and Their Applications, ed. by A. Umar, Y.-B. Hahn (Chonbuk National University, S. Korea, 2010)
  • C. Jiang, X. Sun, G. Lo et al. Appl. Phys. Lett. 90, 263501 (2007)
  • O. Eryu, K. Murakami, K. Takita, K. Masuda. Nucl. Instr. Meth. B, 33, 665 (1988)
  • G. Zollo, M. Kalitzova, D. Manno, G. Vitali. J. Phys. D: Appl. Phys., 37, 2730 (2004)
  • I. Muntele, P. Thevenard, C. Muntele, B. Chhay B, D. Ila. Mater. Res. Symp. Proc, 829, paper B.2.21 (2005)
  • C. Li, Y. Yang, X. Sun, W. Lei, X. Zhang, B. Wang, J. Wang, B. Tay, J. Ye, G. Lo. Nanotechnology, 18, 135604 (2007)
  • S.Chu, M. Olmedo, Zh. Yang, J. Kong, Z. Yang, J. Liu. Appl. Phys. Lett. 93, 181106 (2008)
  • C. Li, G. Beirne, G. Kamita, G. Lakhwani, J. Wang, N. Greenham. J. Appl. Phys., 116, 114501 (2014)
  • G.P. Smestad, M. Gratzel J. Chem. Educ., 75, 752 (1998)
  • T. Tietze, P. Audehm, Y.-C. Chen, G. Schutz, B. Straumal, S. Protasova, A. Mazilkin, P. Straumal, T. Prokscha, H. Luetkens, Z. Salman, A. Suter, B. Baretzky, K. Fink, W. Wenzel, D. Danilov, E. Goering. Scientiv. Reps., 5: 8871, DOI: 10.1038/srep08871 (2015)
  • J. Dodds, F. Meyers, K. Loh. Smart Struct. Syst., 12, 0.55 (2013)
  • P. Chang. Digest J. Nanomater. Biostruct., 9, 777 (2014)
  • C. Liu, H. Zhao, Y. Shen, G. Jia, J. Wang, Z. Mu. Nucl. Instrum. Meth. B, 326, 23 (2014)
  • V. Privezentsev, V. Kulikauskas, A. Palagushkin, E. Steinman, A. Tereshchenko, A. Batrakov, S. Ksenich. Sol. St. Phenomena, 242, 369 (2016)
  • V.V. Privezentsev, E.P. Kirilenko, A.N. Goryachev, A.V. Lutzau. Proc. 23th Intern. Symp. on Nanostructures (NANO 2015), (SPb Academic University, Russia) p. 49
  • A. Milnes. Deep Impurities in Semiconductors (Wiley, N.Y., 1973)
  • The NIST X-ray Photoelectron Spectroscopy Database. Version 4.1. http://srdata.nist.gov/xps
  • Z. Jiang, R.A. Brown. Phys. Rev. Lett., 74, 2046 (1995)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.