"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование особенностей осаждения органического красителя Родамин Б на поверхность пористого кремния с различным размером пор
Леньшин А.С.1, Середин П.В.1, Кавецкая И.В.1, Минаков Д.А.1, Кашкаров В.М.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Email: lenshinas@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 25 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 января 2017 г.

Исследованы особенности осаждения органического красителя Родамин Б на поверхность пористого кремния со средним размером пор 50-100 и 100-250 нм. Методами инфракрасной и фотолюминесцентной спектроскопии были исследованы особенности состава и оптических свойств полученных систем. Установлен преимущественно физический тип адсорбции Родамина Б на поверхность por-Si с различной пористостью и определены оптимальные технологические параметры его осаждения. DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44103.8337
  • K. Kusova, O. Cibulka, K. Dohnalova, I. Pelant, J. Valenta, A. Fuci kova, K. Zi dek, J. Lang, J. Englich, P. Matejka, P. Stepanek, S. ACS Nano, 4 (8), 4495 (2010)
  • E.J. Anglin. D-r of Philosophy in Chemistry Thesis (University of California, San Diego, California, 2007)
  • S.N. Ivannikov, I.V. Kavetkaya, V.M. Kashkarov, A.S. Lenshin. TPL, 39 (1), 9 (2013)
  • V.M. Kashkarov, A.S. Lenshin, P.V. Seredin, B.L. Agapov, V.N. Tsipenyuk. J. Surf. Inv., 6 (5), 776 (2012)
  • A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, P.V. Seredin, D.A. Minakov, B.L. Agapov, M.A. Kuznetsova, V.A. Moshnikov, E.P. Domashevskaya. Semiconductors, 46 (8), 1079 (2012)
  • A.S. Lenshin, V.M. Kashkarov, D.L. Goloshchapov, P.V. Seredin, K.A. Polumestnaya, E.V. Maraeva, S.A. Soldatenko, Yu.A. Jurakov, E.P. Domashevskaya. Inorg. Mater., 48 (10), 965 (2012)
  • A.S. Lenshin, P.V. Seredin, B.L. Agapov, D.A. Minakov, V.M. Kashkarov. Mater. Sci. Sem. Proc., 30, 25 (2015)
  • V.P. Tolstoy, I.V. Chernyshova, V.A. Skryshevsky. Handbook of infrared spectroscopy of ultrathin films (Wiley Interscience, John Wiley\&Sons, Inc., 2003)
  • Spectral Database for Organic Compounds, SDBS, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, http://sdbs.db.aist.go.jp
  • A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82 (3), 909 (1997)
  • V.A. Svetlichyi, A.A. Biryukov, I.N. Lapin, T.I. Isaak. Izvestia vuzov. Ser. Fizika, 11 (3), 69 (2010)
  • L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57 (10), 1046 (1990)
  • V.S. Levitskii, A.S. Lenshin, P.V. Seredin, E.I. Terukov. Semiconductors, 49 (11), 1493 (2015)
  • S.N. Kuznetsov, V.B. Piculev, Yu.E. Gardin, I.V. Klimov, V.A. Gurtov. Phys. Rev. B, 51 (3), 1601 (1995)
  • M.J.Sailor, E.C. Wu. Adv. Funct. Mater., 19 ( 20), 3195 (2009)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.