Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Механизм генерирования донорно-акцепторных пар при сильном легировании n-ZrNiSn акцепторной примесью Ga

DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45614.8573

Переводная версия: 10.1134/S1063782618030193

Ромака В.А.^1,2, Rogl P.-F.³, Frushart D.⁴, Kaczorowski D.⁵

¹Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина Ya. Pidstryhach Institute for Applied Problems of Mechanics and Mathematics, National Academy of Sciences of Ukraine, Lviv, Ukraine

Ya. Pidstryhach Institute for Applied Problems of Mechanics and Mathematics, National Academy of Sciences of Ukraine, Lviv, Ukraine

²Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина Lviv Polytechnic National University, Lviv, Ukraine

³Институт физической химии Венского университета, Вена, Австрия Institut für Physikalische Chemie, Universität Wien, Wien, Austria

⁴Институт Нееля Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция Institut Néel, CNRS, Grenoble Cedex 9, France

⁵Институт низких температур и структурных исследований им. В. Тжибятовского ПАН, Вроцлав, Польша Trzebiatowski Institute of Low Temperature and Structure Research, Polish Academy of Sciences, Wroclaw, Poland

Trzebiatowski Institute of Low Temperature and Structure Research, Polish Academy of Sciences, Wroclaw, Poland

Email: vromaka@polynet.lviv.ua

Поступила в редакцию: 31 мая 2017 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Установлена природа механизма одновременного генерирования донорно-акцепторных пар при сильном легировании интерметаллического полупроводника n-ZrNiSn акцепторной примесью Ga. Найдено такое пространственное расположение атомов в кристаллической решетке ZrNiSn_1-xGa_x, когда скорость движения уровня Ферми varepsilon_F, полученная из расчетов распределения плотности электронных состояний, совпадает с экспериментально установленной из зависимостей lnrho(1/T). Показано, что при занятии примесным атомом Ga (4s²4p¹) позиции 4b атомов Sn (5s²5p²) одновременно генерируются как структурные дефекты акцепторной природы, так и донорной в виде вакансий в позиции 4b. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. DOI: 10.21883/FTP.2018.03.45614.8573

В.А. Ромака, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык. Интерметаллические полупроводники: свойства и применения (Львов, Львовская политехника, 2011)
M. Gurth, G. Rogl, V.V. Romaka, E. Bauer, P. Rogl. Acta Materialia, 104, 210 (2016)
M. Schwall, B. Balke. Phys. Chem. Chem. Phys., 15 (6), 1868 (2013)
D. Fruchart, V.A. Romaka, Yu.V. Stadnyk, L.P. Romaka, Yu.K. Gorelenko, M.G. Shelyapina, V.F. Chekurin. J. Alloys Comp., 438, 8 (2007)
В.А. Ромака, М.Г. Шеляпина, Ю.К. Гореленко, D. Fruchart, Ю.В. Стаднык, Л.П. Ромака, В.Ф. Чекурин. ФТП, 40 (6), 676 (2006)
В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, D. Fruchart, Л.П. Ромака, А.М. Горынь, Ю.К. Гореленко, Т.И. Доминюк. ФТП, 43 (3), 297 (2009)
В.А. Ромака, E.K. Hlil, Я.В. Сколоздра, P. Rogl, Ю.В. Стаднык, Л.П. Ромака, А.М. Горынь. ФТП, 43 (9), 1157 (2009)
V.A. Romaka, P.-F. Rogl, L.P. Romaka, Yu.V. Stadnyk, V.Ya. Krayovsky, D. Kaczorowski, A.M. Horyn. J. Thermoelectricity, N 3, 24 (2016)
Н. Мотт, Т. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) [Пер. с англ.: N.F. Mott, E.A. Davis. Electron processes in non-crystalline materials (Oxford, Clarendon Press, 1979)]
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 61 (2), 816 (1971)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 62 (3), 1156 (1972)
T. Roisnel, J. Rodriguez-Carvajal. Mater. Sci. Forum, Proc. EPDIC7, 378-381, 118 (2001)
M. Schroter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G.G. Reddy. Phys. Rev. B, 52, 188 (1995)
V.L. Moruzzi, J.F. Janak, A.R. Williams. Calculated electronic properties of metals (N. Y., Pergamon Press, 1978)
В.В. Ромака, Л.П. Ромака, В.Я. Крайовский, Ю.В. Стаднык. Станиды редкоземельных и переходных металлов (Львов, Львовская политехника, 2015)
V.V. Romaka, P. Rogl, L. Romaka, Yu. Stadnyk, A. Grytsiv, O. Lakh, V. Krayovsky. Intermetallics, 35, 45 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель