R.N. Redus, A.C. Huber, J.A. Pantazis. Nucl. Instrum. Meth., A 458, 214 (2001)
A.V. Rybka, S.A. Leonov, I.M. Prokhorets, A.S. Abuzov, L.N. Davydov, V.E. Kutny, M.S. Rowland, C.F. Smith. Nucl. Instrum. Meth., A 458, 248 (2001)
H. Miyamaru, T. Iida, A. Takahashi. J. Nucl. Sci. Technol., 36, 54 (1999)
A. Cavallini, B. Fraboni, W. Dusi, M. Zanarini. J. Appl. Phys., 94, 3135 (2003)
P. Hoschl, P. Moravec, J. Franc, E. Belas, R. Grill. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., A 322, 371 (1992)
T.E. Schlesinger, R.B. James. Semiconductors for Room Temperature Nuclear Detector Applications [Semiconductors and Semimetals (San Diego, CA: Academic Press, 1995) v. 43]
M. Hage-Ali, P. Siffert. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., A 322, 313 (1992)
Z. Huang, E. Eissler, C. Wie. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., B 100, 507 (1995)
С.В. Пляцко, Л.В. Рашковецкий. ФТП, 40 (3), 287 (2006)
S.V. Plyatsko, T.L. Petrenko, F.F. Sizov. Infr. Phys. Technol., 52, 57 (2009)
С.В. Пляцко, Л.В. Рашковецкий. ФТП, 47, 890 (2013)
Ж. Бургуэн, М. Лано. Точечные дефекты в полупроводниках (М., Мир, 1985)
D.P. Halliday, M.D.G. Potter, J.T. Mullins, A.W. Brinkman. J. Cryst. Growth, 220, 30 (2000)
S. Seto, K. Suzuki, V.N. Abastillas, K. Inabe. J. Cryst. Growth, 214/215, 974 (2000)
D.M. Hofmann, W. Stadler, K. Oettinger, B.K. Meyer, P. Omling, M. Salk, K.W. Benz, E. Weigel, G. Muller-Vogt. Mater. Sci. Eng. B, 16, 128 (1993)
J.R. Haynes. Phys. Rev. Lett., 4, 361 (1960)