Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер селективной эпитаксии GaN

Рожавская М.М.¹, Лундин В.В.¹, Заварин Е.Е.¹, Трошков С.И.¹, Брунков П.Н.¹, Цацульников А.Ф.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 18 июня 2012 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведено исследование влияния состава газа-носителя, потока триметилгаллия и времени роста на характер протекания процесса селективной эпитаксии GaN в полосковых окнах, ориентированных вдоль кристаллографического направления 1100> GaN для различной ширины маскирующего покрытия. Показано, что добавление азота в атмосферу реактора приводит к изменению огранки полосков, ограниченных широкой (40 мкм) маской, с прямоугольной, ограниченной вертикальной боковой гранью 1120, на трапециевидную с наклонной боковой гранью 1122. Показано также, что при росте в азот-водородной смеси поток галлия начинает значительно влиять на огранку формирующихся полосков. Продемонстрирована существенная нестационарность процесса, приводящая к заметному изменению типа огранки по мере увеличения поперечного сечения полоска.

P. Gibart. Rep. Prog. Phys. 67 667 (2004)
S. Pearton. GaN and ZnO- based materials and devices (Berlin, Springer-Verlag, 2012)
В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.М. Рожавская, С.И. Трошков, А.Ф. Цацульников. Письма ЖТФ, 37, (15), 120 (2011)
K. Hiramatsu, K. Nishiyama, A. Motogaito, H. Miyake, Y. Iyechika, T. Maeda. Phys. Status. Solidi A; 176, 535 (1999)
D. Kapolnek, S. Keller, R. Vetury, R.D. Underwood, P. Kozodoy, S.P. Den Baars, U.K. Mishra. Appl. Phys. Lett.,71 (9), 1204 (1999)
M.D. Craven, S.H. Lim, F. Wu, J.S. Speck, S.P. DenBaars. Appl. Phys. Lett., 81 (7), 1201 (2002)
D. Kapolnek, R.D. Underwood, B.P. Keller, S. Keller, S.P. Denbaars, U.K. Mishra. J. Cryst. Growth, 170 7, 340 (1997)
X.J. Chen, J.S. Hwang, G. Perillat-Merceroz, S. Landis, B. Martin, D. Le Si Dang. J. Eymery, C. Durand. J. Cryst. Growth, 322 (1), 15 (2011)
В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.М. Рожавская, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, С.И. Трошков, М.А. Синицын, Д.В. Давыдов, М.М. Кулагина, П.Н. Брунков, А.Ф. Цацульников. Письма в ЖТФ, 38 (6), 1200 (2012)
Kazuyuki Tadatomo, Yoichiro Ohuchi, Hiroaki Okagawa, Hirotaka Itoh, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu, Hideto Miyake, Kazumasa Hiramatsu. MRS Proc., 537 , G3.1 doi: 10.1557/PROC-537-G3.1 (1998)
E.V. Yakovlev, R.A. Talalaev, A.V. Kondratyev, A.S. Segal, A.V. Lobanova, W.V. Lundin, E.E. Zavarin, M.A. Sinitsyn, A.F. Tsatsulnikov, A.E. Nikolaev. J. Cryst. Growth, 310, 4862 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель