Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности формирования наноразмерных объектов в системе InSb/InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 21 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.
Квантовые штрихи (до 4· 109 см-2) и квантовые точки (7· 109 cm-2) InSb были получены на подложке InAs(100) стандартным методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений в интервале температур 420-440oC. Трансформация формы и размеров квантовых штрихов наблюдалась в зависимости от технологических условий эпитаксиального осаждения (качества поверхности матрицы, температуры роста, скорости потока, соотношения V/III групп в газовой фазе и др.). Управление скоростью диффузиии реагентов по поверхности матрицы на основе эпитаксиального слоя InAs приводило к изменению поперечных размеров осаждаемых квантовых штрихов в интервале величин: 150-500 нм в длину и 100-150 нм в ширину соответственно, при сохранении высоты 50 нм. Квантовые точки InSb были выращены на поверхности подложки InAs при T=440oC. Наблюдалось бимодальное распределение нанообъектов по размерам: квантовые точки малых размеров (средняя высота 15 нм, средний диаметр 60 нм) и крупных размеров (средняя высота 25 нм, средний диаметр 110 нм).
- Selected Topics in Electronics and Systems, v. 25: Quantum Dots, ed. by E. Borovitskaya, M.S. Shur (Singapore, World Scientific, 2002)
- D. Bimberg, M. Grundmann, N.N. Ledentsov. Quantum Dot Heterostructures (Chichester, John Wiley \& Sons, 1999)
- H.I. Schiff, G.I. Mackay, J. Bechara. In: Air Monitoring by Spectroscopy Techniques, M.W. Sigrist (ed.) (Wiley, N.Y., 1994)
- X. Gao, W.C.W. Chan, S. Nie. J. Biomed. Opt., 7, 532 (2002)
- S. Shusterman, Y. Paltiel, A. Sher, V. Ezersky, Y. Rosenwaks, J. Cryst. Growth, 291, 363 (2006)
- F. Hatami, S.M. Kim, H.B. Yuen, J.S. Harris. Appl. Phys. Lett. 89, 133 115 (2006)
- Q. Zhuang, P.J. Carrington, A. Krier. J. Phys. D: Appl. Phys., 41, 232 003 (2008)
- К.Д. Моисеев, Я.А. Пархоменко, А.В. Анкудинов, Е.В. Гущина, М.П. Михайлова, А.Н. Титков, Ю.П. Яковлев. Письма в ЖТФ, 33 (7), 50 (2007)
- K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, E.V. Ivanov, Ya.A. Parkhomenko, S.S. Kizhaev, V.N. Nevedomsky, N.A. Bert, Yu.P. Yakovlev. Proc. SPIE, 7608, 76081R (2010)
- K. Moiseev, Ya. Parkhomenko, V. Romanov, P. Dement'ev, E. Ivanov, M. Mikhailova. J. Cryst. Growth, 318, 379 (2011)
- К.Д. Моисеев, Я.А. Пархоменко, Е.В. Гущина, А.В. Анкудинов, М.П. Михайлова, Н.А. Берт, Ю.П. Яковлев. ФТП, 43, 1142 (2009)
- В.Г. Дубровский, Ю.Г. Мусихин, Г.Э. Цырлин, В.А. Егоров, Н.К. Поляков, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, Н.В. Крыжановская, Н.А. Берт, В.М. Устинов. ФТП, 38, 342 (2004)
- А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, P. Werner. ФТП, 38, 1239 (2004)
- Г.Э. Цирлин, А.А. Тонких, В.Э. Птицын, В.Г. Дубровский, С.А. Масалов, В.П. Евтихиев, Д.В. Денисов, В.М. Устинов, P. Werner. ФТТ, 47, 58 (2005)
- R.M. Graham, A.C. Jones, N.J. Mason, S. Rushworth, A. Salesset, T.V. Seongs, G. Bookers, L. Smith, P.J. Walker. Semicond. Sci. Technol., 8, 1797 (1993)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
