Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Метастабильные состояния в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN, легированных Sm, Eu, Eu + Sm

Мездрогина М.М.¹, Кожанова Ю.В.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 4 июня 2012 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основании измерений спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN<Sm>, InGaN/GaN<Eu> показано, что воздействие магнитного поля приводит к реализации ван-флековского парамагнетизма для Eu³⁺ и Sm³⁺. После измерений спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN, легированных Sm, Eu + Sm, при высоком уровне возбуждения (более 10²³ фотон/(см²·с) ), в магнитных полях, во вновь измеренных спектрах макрофотолюминесценции отсутствовали линии излучения из квантовых ям, имеющиеся в ранее измеренных спектрах макрофотолюминесценции. Это свидетельствует о наличии фотоиндуцированных дефектов. Отжиг исследованных структур InGaN/GaN<Sm>, InGaN<Eu + Sm> приводит к уменьшению концентрации фотоиндуцированных дефектов.

В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, В.В. Лундин. ФТТ, 47 (7), 1338 (2005)
В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина. ФТТ, 48 (11), 2067 (2006)
В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Наонов, С.Н. Родин. ФТТ, 45 (9), 1556 (2003)
В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин. ФТТ, 51 (2), 2137 (2009)
Y.U. Hite, O.T. Thaler, R. Khawa, C.B. Abemchthy, S.J. Pearton, J.H. Park, J. Zavada. Appl. Phys. Lett., 89, 132 119 (2006)
А.А. Арендоренко, Е.Г. Ермошин, Ю.Н. Свешников, Н.Н. Цыпленков. Тез. докл. 6-й Всеросс. конф. "Нитриды галлия, индия, алюминия. Структуры, приборы" (СПб., 2008) с. 23
М.М. Мездрогина, В.В. Криволапчук, В.Н. Петров, Ю.В. Кожанова, Э.Ю. Даниловский, Р.В. Кузьмин. ФТП, 43 (4), 467 (2009)
М.М. Мездрогина, Е.С. Москаленко, Ю.В. Кожанова. ФТТ 53 (8), 1596 (2011)
C.R. Wronski, J.M. Peare, J. Deny, V. Ylanos, R.W. Collins. Thin Sol. Films, 451-- 452, 470 (2004)
А.Г. Казанский, Е.И. Теруков, И.А. Форш, J.P. Kleider. ФТП, 44 (4) 513 (2010)
М.М. Мездрогина, А.С. Абрамов, Г.Н. Мосина, И.Н. Трапезникова. ФТП, 44 (5), 948 (2010).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель