Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности полевой генерации неосновных носителей заряда в структурах Si-SiO2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 14 июня 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.
Рассмотрены особенности генерационных процессов в структурах Si-SiO2 при наличии сильного электрического поля в окисном слое (Eox~ 10 МВ/см). Показано, что при достижении определенного порогового значения напряженности электрического поля происходит подключение дополнительного механизма генерации неосновных носителей заряда в кремнии, связанного с развитием процессов электролюминесценции в окисном слое.
- В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. ФТП, 26, 2048 (1992)
- M. Zerbst. Z. Angew. Phys., 22 (1), 120 (1966)
- А.П. Барабан, Ю.А. Тарантов. Микроэлектроника, 8 (4), (1979)
- Е.И. Гольдман. ФТП, 27, 269 (1993)
- А.П. Барабан, В.А. Дмитриев, Ю.В. Петров. Электролюминесценция в твердотельных слоистых структурах на основе кремния (СПб., СПб. ун-т, 2009)
- A.P. Baraban, Yu.V. Petrov. Semiconductors, 42, 1515 (2008)
- С.М. 3и. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
- P. Solomon, N. Klein. J. Appl. Phys., 47, 1023 (1976)
- D.J. Di Maria, J.R. Kirtley, E.J. Pakulis. J. Appl. Phys., 56, 401 (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
