Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2013, выпуск 8 » Статья стр. 1082
<<<>>>
Полупроводниковые лазеры (1020-1100 нм) с асимметричным расширенным одномодовым волноводом на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs
Слипченко С.О.1, Подоскин А.А.1, Винокуров Д.А.1, Бондарев А.Д.1, Капитонов В.А.1, Пихтин Н.А.1, Копьёв П.С.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 декабря 2012 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2013 г.
PDF версия
Теоретически и экспериментально были исследованы подходы к созданию лазерных гетероструктур с расширенным одномодовым волноводом. Показано, что использование n- и p-эмиттеров с различными значениями показателей преломления обеспечивает генерацию только фундаментальной моды при толщине волноводного слоя 2 мкм. Исследованные полупроводниковые лазеры, изготовленные на основе разработанной гетероструктуры, демонстрировали внутренние оптические потери 0.6 см-1 и расходимость излучения в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу, 23o. В непрерывном режиме генерации при комнатной температуре получена линейная ватт-амперная характеристика до выходной оптической мощности 7 Вт.
  1. Д.А. Лившиц, А.Ю. Егоров, И.В. Кочнев, В.А. Капитонов, В.М. Лантратов, Н.Н. Леденцов, Т.А. Налет, И.С. Тарасов. ФТП, 35, 380 (2001)
  2. A. Al-Muhanna, L.J. Mawst, D. Botez, D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, J.C. Conolly. Appl. Phys. Lett., 73, 1182 (1998)
  3. Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39, 388 (2005)
  4. P. Crump, G. Blume, K. Paschke, R. Staske, A. Pietrzak, U. Zeimer, S. Einfeldt, A. Ginolas, F. Bugge, K. Hausler, P. Ressel, H. Wenzel, G. Erbert. Proc. SPIE, 7198, 719 814 (2009)
  5. С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38, 1477 (2004)
  6. С.О. Слипченко, Н.А. Пихтин, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, А.А. Мармалюк, Д.Б. Никитин, А.А. Падалица, П.В. Булаев, И.Д. Залевский, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 29, 26 (2003)
  7. A. Pietrzak, P. Crump, H. Wenzel, G. Erbert, F. Bugge, G. Trankle. IEEE J. Select. Topics. Quant. Electron., 17 (6), 1715 (2011)
  8. N.A. Pikhtin, S.O. Slipchenko, Z.S. Sokolova, A.L. Stankevich, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, Zh.I. Alferov. Electron. Lett., 40 (22), 1413 (2004)
  9. B. Ryvkin, E. Avrutin. J. Appl. Phys., 105, 103 107 (2009)
  10. H.-G. Treusch, A. Ovtchinnikov, X. He, M. Kanskar, J. Mott, S. Yang. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 6 (4), 601 (2000)
  11. C.О. Слипченко, И.С. Шашкин, Л.С. Вавилова, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, А.А. Подоскин, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 44, 688 (2009)
  12. И.С. Шашкин, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Н.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, М.Г. Растегаева, З.Н. Соколова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, Д.А. Веселов, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. ФТП, 46, 1230 (2012)
  13. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1981) т. 1
  14. S. Adachi. Physical properties of III-V Semiconductor Compounds (John Wiley \& Sons Inc. 1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme