Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние импульсного лазерного излучения на морфологию и фотоэлектрические свойства кристаллов InSb

Гнатюк В.А.¹, Городниченко Е.С.²

¹Research Institute of Electronics, Shizuoka University, 3-5-1 Johoku, Naka-ku, Hamamatsu, Japan

Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Hamamatsu, Japan

²Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина Taras Shevchenko National University of Kyiv, Kyiv, Ukraine

Поступила в редакцию: 10 сентября 2002 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучается влияние наносекундных импульсов излучения рубинового лазера на морфологию поверхности и фотоэлектрические свойства кристаллов InSb. Установлено значение пороговой плотности энергии 0.14 Дж/см², при котором начинается плавление поверхности кристаллов. Анализируется модификация спектров и вида кинетики фотопроводимости образцов после облучения. Показано, что обработка InSb импульсами рубинового лазера в определенном диапазоне плотности энергии приводит к уменьшению скорости поверхностной рекомбинации, росту времени жизни неравновесных носителей и, как следствие, к увеличению фоточувствительности кристаллов.

Л.Л. Федоренко, В.К. Малютенко, С.С. Болгов. Укр. физ. журн., 20, 2041 (1975)
V.A. Gnatyuk. J. Phys. D: Appl. Phys., 32, 2687 (1999)
Е.А. Горин, А.И. Бережная, Г.И. Янко. Поверхность. Физика, химия, механика, N 9, 47 (1982)
П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Поверхность. Физика, химия, механика, N 6, 5 (1995)
Р.В. Арутюнян, В.Ю. Баранов, Л.А. Большов, А.Ю. Сербант. Воздействие лазерного излучения на материалы (М., Наука, 1983)
M. Birnbaum, T.L. Stoker. J. Appl. Phys., 39, 6032 (1968)
C.R. Meyer, M.R. Kruer, F.J. Bartoli. J. Appl. Phys., 51, 5513 (1980)
Г.М. Гусаков, А.А. Комарницкий, А.С. Эм. Поверхность. Физика, химия, механика, N 6, 86 (1991)
К.К. Джаманбалин, А.Г. Дмитриев, Э.Н. Сокол-Номоконов, Ю.И. Уханов. Физика и химия обраб. материалов, N 2, 20 (1990)
В.Н. Абакумов, О.В. Зеленова, Ю.В. Ковальчук, Е.Л. Портной, В.Б. Смирницкий, И.А. Соколов. Письма ЖТФ, 8 (22), 1365 (1982)
В.В. Гаврушко, О.В. Косогов. ФТП, 4, 2373 (1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель