Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
О механизмах токопереноса в диодных структурах Cr--n-InP и Mo--n-InP
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 3 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.
Проведены исследования электрических характеристик диодных структур Cr-n-InP и Mo-n-InP и сделана оценка механизма токопрохождения. Установлено, что в структурах Cr-n-InP преобладает либо термоэлектронный, либо генерационно-рекомбинационный ток в зависимости от температуры. В структурах Mo-n-InP - двойная инжекция носителей заряда при дрейфовом переносе.
- E. Hokelek, G.J. Robinson. J. Appl. Phys., 54 (9), 5199 (1983)
- T. Kendelewicz, N. Newman, R.S. List, I. Lindau, W.E. Spicer. J. Vac. Sci. Technol. B, 3 (4), 1206 (1985)
- Э.Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982) с. 122
- Ming-Long Tsai, A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. J. Appl. Phys., 51 (5), 2696 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
