В последнее время большое внимание уделяется измерению и контролю ультрафиолетового излучения Солнца и искусственных источников. Мы представляем фотодетекторы на основе различных широкозонных поверхностно-барьерных структур, которые имеют линейную характеристику плотность потока излучения-фототок в диапазоне 10^-2-10³ Вт / м² и позволяют регистрировать разные типы ультрафиолетового излучения. Так, фотодетекторы на основе GaP при использовании фильтра УФС-6 имеют диапазон спектральной фоточувствительности, соответствующий ультрафиолетовому излучению Солнца, регистрируемому на поверхности Земли. 4H-SiC-поверхностно-барьерные фотоприемники имеют диапазон спектральной фоточувствительности, соответствующий спектральной кривой бактерицидного воздействия ультрафиолетового излучения. Для объяснения процесса коротковолнового фотоэлектропреобразования в этих структурах разработана модель, согласно которой фотоэлектроны и фотодырки могут связываться в горячие экситоны и исключаться из процесса фотоэлектропреобразования. Экспериментально установленный факт роста квантовой эффективности с температурой для фотодетекторов на основе барьеров Шоттки объясняется захватом фотоносителей в ловушки, обусловленные флуктуациями дна зоны проводимости и потока валентной зоны, с последующей термодиссоциацией. Эти флуктуации связаны с несовершенствами в приповерхностной области полупроводника, что подтверждается независимостью квантовой эффективности фотодетекторов на основе p-n-структур от температуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.