"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb / GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм с большим диаметром чувствительной площадки
Андреев И.А.1, Ильинская Н.Д.1, Куницына Е.В.1, Михайлова М.П.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2003 г.

В данной работе сообщаются результаты исследований, направленных на создание высокоэффективных фотодиодов для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм с диаметрами фоточувствительной площадки такими большими, как 1-3 мм. Разработан широкий ряд фотодиодов на основе гетероструктур GaSb / GaInAsSb / GaAlAsSb с длинноволновой границей спектральной чувствительности lambda=2.4 и 2.55 мкм. Отличительными особенностями фотодиодов являются высокая токовая монохроматическая чувствительность в максимуме спектра, высокое быстродействие, а также низкое значение плотности обратных темновых токов. Обнаружительная способность фотодиодов, оцененная по измеренной величине уровня шумов и токовой монохроматической чувствительности, в максимуме спектра достигает величины D*(lambdamax,1000,1)=(0.8-1.0)·1011 Гц1/2 см/Вт.
  • A.I. Nadezhdinski, A.M. Prokhorov. Proc. Conf. Applications Tunable Diode Lasers. Proc. SPIE, 1724, 2 (1992)
  • R.J. Becherer. Proc Conf. Laser Focus World, May 1993, p. 71
  • R. Martini, C. Bethear, F. Capasso, C. Gmachl, R. Paiella, E.A. Whittaker, H.Y. Hwang, D.L. Sivco, J.N. Baillargeon, A.Y. Cho, H.C. Liu. Abstracts Book 5th Int. Conf. MID-IR Optoelectronic Materials and Devices (MIOMD-V), Sept. 8-11, 2002 (Annapolis, Maryland, USA) p. 04--05
  • T.L. Troy, S.N. Thennadil. J. Biomedical Optics, 6 (2), 167 (2001)
  • K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, B.I. Zhurtanov, T.I. Voronina, O.V. Andreychuk, N.D. Stoyanov, Yu.P. Yakovlev. Appl. Surf. Sci., 142, 257 (1999)
  • А.Н. Баранов, Е.А. Гребенщикова, Б.Е. Джуртанов, Т.Н. Данилова, А.Н. Именков, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 14 (20), 1839 (1988)
  • И.А. Андреев, М.А. Афраилов, А.Н. Баранов и др. Письма ЖТФ, 15 (7), 20 (1989). [Sov. Techn. Phys. Lett., 15 (7), 15 (1989)]
  • И.А. Андреев, А.Н. Баранов, М.В. Возницкий, Б.А. Ермаков, М.П. Михайлова, Т.Н. Сиренко, Ю.П. Яковлев. Опт.-мех. пром-сть, N 7, 19 (1991)
  • А.М. Литвак, Н.А. Чарыков. ЖФХ, 64, 2331 (1990)
  • F. Karota, H. Mani, J. Bhan, Fen Jia Hua, A. Joullie. Rev. Phys. Appl., 22 (11), 1459 (1987)
  • J.L. Moll. In: Physics of Semiconductors (N. Y., McGraw Hill, 1964)
  • A.T. Gorelenok, A.V. Kamanin, N.M. Shmidt. Microelectronics J., 26, 705 (1995)
  • E.V. Kunitsyna, I.A. Andreev, N.A. Charykov, Yu.V. Solov'ev, Yu.P. Yakovlev. Appl. Surf. Sci., 1--4, 371 (1999)
  • E.V. Kunitsyna, I.A. Andreev, M.P. Mikhailova, Ya.A. Parkhomenko, Yu.P. Yakovlev. Proc. Int. Conf. Photoelectronics and Night Vision Devices. Proc. SPIE, 4340, 244 (2000)
  • И.А. Андреев, Е.В. Куницына, В.М. Лантратов, Т.В. Львова, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31 (6), 653 (1997)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.