"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Адсорбция сольватированных гидросульфид-ионов на поверхность GaAs(100): роль растворителя при модификации структуры поверхности
Лебедев М.В.1, Mayer Th.2, Jaegermann W.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2TU-Darmstadt, FB Material- und Geowissenschaften, FG Oberflachenforschung, Darmstadt, Germany
Поступила в редакцию: 2 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

Методами фотоэмиссионной спектроскопии исследовалась адсорбция сольватированных различными амфипротонными растворителями (вода, спирты) гидросульфид-ионов HS- на свободную от окислов поверхность GaAs(100). Адсорбция проводилась из растворов сульфида аммония в инертной атмосфере, не содержащей кислорода. Было показано, что химический сдвиг компоненты, обусловленной формирующимися связями As--S относительно объемной As--Ga составляющей фотоэлектронного спектра возрастает с уменьшением диэлектрической проницаемости используемого растворителя, свидетельствуя о возрастании степени ионности связей As--S. Энергия ионизации полупроводника после адсорбции также зависит от растворителя, из которого производилась адсорбция, причем эта зависимость сохраняется и после отжига поверхности и исчезновения связей As--S, что указывает на влияние растворителя на атомную структуру поверхности. Установлено, что растворитель, сольватируя ион, модифицирует его химические свойства и реакционную способность, что приводит к изменению механизма взаимодействия ионов с поверхностными атомами полупроводника.
  • F. Seker, K. Meeker, T.F. Kuech, A.B. Ellis. Chem. Rev., 100, 2505 (2000)
  • J. Tomasi, M. Persico. Chem. Rev., 94, 2027 (1994)
  • V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, D.R.T. Zahn. J. Appl. Phys., 82, 2640 (1997)
  • C. Huh, S.-W. Kim, H.-S. Kim, I.-H. Lee, S.-J. Park. J. Appl. Phys., 87, 4591 (2000)
  • В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев, D.R.T. Zahn. ФТП, 33, 429 (1999)
  • M. Kemerink, J.V. Gerritsen, P.M. Koenrad, H. Van Kempen, J.H. Wolter. Appl. Phys. Lett., 75, 3656 (1999)
  • V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, Yu.M. Shernyakov, B.V. Tsarenkov. Mater. Sci. Engin. B, 44, 380 (1997)
  • R. Hakimi, M.-C. Amann. Semicond. Sci. Technol., 12, 778 (1997)
  • K. Akita, M. Taneya, Y. Sugimoto, H. Hidaka. J. Electrochem. Soc., 137, 2081 (1990)
  • J. Cioslowski, M. Martinov. J. Chem. Phys., 103, 4967 (1995)
  • M. Beerbom, O. Henrion, A. Klein, Th. Mayer, W. Jaegermann. Electrochim. Acta, 45, 4663 (2000)
  • I.M. Vitomirov, A.D. Raisanen, A.E. Finnefrock, R.E. Viturro, L.E. Brillson, P.D. Kirchner, G.D. Pettit, J.M. Woodall. J. Vac. Sci. Technol. B, 10, 1898 (1992)
  • T. Ishikawa, H. Ikoma. Jap. J. Appl. Phys., 31, 3981 (1992)
  • G. Hollinger, R. Skheyta-Kabbani, M. Gendry. Phys. Rev. B, 49, 11 159 (1994)
  • C.C. Surdu-Bob, S.O. Saied, J.L. Sullivan. Appl. Surf. Sci., 183, 126 (2001)
  • M.-G. Kang, H.-H. Park. J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 88 (1999)
  • P.K. Larsen, J.F. van der Veen, A. Mazur, J. Pollmann, J.H. Neave, B.A. Joyce. Phys. Rev. B, 26, 3222 (1982)
  • T.-C. Chiang, J.A. Knapp, M. Aono, D.E. Eastman. Phys. Rev. B, 21, 3513 (1980)
  • M.V. Lebedev, M. Aono. J. Appl. Phys., 87, 289 (2000)
  • C.J. Spindt, M. Yamada, P.L. Meissner, K.E. Miyano, T. Kendelewicz, A. Herrera--Gomez, W.E. Spicer, A.J. Arko. Phys. Rev. B, 45, 11 108 (1992)
  • Z. Liu, Y. Sun, F. Machuca, P. Pianetta, W.E. Spicer, R.F.W. Pease. J. Vac. Sci. Technol. A, 21, 212 (2003)
  • J.J. Yeh, I. Lindau. At. Data Nucl. Data Tables, 32, 1 (1985)
  • X.-A. Cao, H.-T. Hu, X.-M. Ding, Z.-L. Yuan, Y. Dong, X.-Y. Chen, B. Lai, X.-Y. Hou. J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 2656 (1998)
  • V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, A.F. Ivankov, W. Bauhofer, D.R.T. Zahn. Appl. Surf. Sci., 133, 17 (1998)
  • W. Monch, Semiconductor Surfaces and Interfaces, 2nd ed. (Springer, Berlin, 1995)
  • J.-F. Fan, H. Oigawa, Y. Nannichi. Jap. J. Appl. Phys., 27, L1331 (1988)
  • S. Licht, F. Forouzan, K. Longo. Anal. Chem., 62, 1356 (1990)
  • N. Gayathri, S. Izvekov, G.A. Voth. J. Chem. Phys., 117, 872 (2002)
  • M.V. Lebedev. J. Phys. Chem. B, 105, 5427 (2001)
  • М.В. Лебедев. ФТП, 35, 1347 (2001)
  • V.I. Minkin, O.A. Osipov, Yu.A. Zhdanov. Dipole Moments in Organic Chemistry (N. Y., Plenum Press, 1970)
  • V.N. Bessolov, M.V. Lebedev, E.B. Novikov, B.V. Tsarenkov. J. Vac. Sci. Technol. B, 11, 10 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.