"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Вольт-амперные характеристики монокристаллов MnIn2S4 и MnGa2S4
Нифтиев Н.Н.1, Тагиев О.Б.1
1Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 23 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

Приводятся результаты исследования вольт-амперных характеристик I(U) монокристаллов MnIn2S4 и MnGa2S4 в темноте и под действием света. Вольт-амперная характеристика монокристалла MnIn2S4 в темноте содержит участки I propto U, I propto U2 и I propto U3, а под действием света --- I propto U, I propto U3/2 и I propto U2.5. Выявлено, что световой ток почти в 104 раза больше темнового. В монокристаллах MnGa2S4 под действием света вольт-амперная характеристика имеет участки I propto U и I propto U3/2. Дано объяснение этих зависимостей.
  • З. Метфессель, Д. Миттис. Магнитные полупроводники (М., Мир, 1972)
  • Р.Н. Бекимбетов, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. ФТП, 21, 1051 (1987)
  • Р.Н. Бекимбетов, Н.Н. Константинова, Ю.В. Рудь, М.А. Таиров. Изв. АН СССР. Неорг. матер. 24 (12), 1969 (1988)
  • Н.Н. Нифтиев, О.Б. Тагиев, А.Г. Рустамов. ФТП, 24, 758 (1990)
  • T. Kanomata, H. Ido, T. Kaneko. J. Phys. Soc. Japan, 34, 554 (1973)
  • N.N. Niftiev, O.B. Tagiev. Sol. St. Commun., 81, 693 (1992)
  • М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  • Р. Бьюб. Фотопроводимость твердых тел (М., Мир, 1966)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.