"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фоточувствительные структуры на основе соединения AgIn11S17
Боднарь И.В.1, Ильчук Г.А.2, Рудь В.Ю.3, Рудь Ю.В.2
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

Методом Бриджмена (горизонтальный вариант) выращены кристаллы тройного соединения AgIn11S17. Проведены измерения кинетических коэффициентов и впервые созданы фоточувствительные структуры на основе полученных кристаллов. Определены фотоэлектрические параметры твердотельных поверхностно-барьерных структур и фотоэлектрохимических ячеек, оценена ширина запрещенной зоны для соединения AgIn11S17 и обсуждается характер межзонных переходов в этом соединении. Показано, что разработанные структуры могут применяться в фотодетекторах естественного излучения.
  • И.В. Боднарь, Т.Л. Кушнер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.В. Якушев. ЖПС, 69, 519 (2002)
  • C. Rincon, S.M. Wasim, G. Marin, R. Marques. Book of Abstracts of 13 ICTMC (Paris, 2002) p. 83
  • S.M. Wasim, G. Marin, C. Rincon, R. Marques, C. Torres, A. Rincon. Book of Abstracts of 13 ICTMC (Paris, 2002) p. 205
  • N.M. Gasanly, A. Serpengurel, A. Audinly, O. Gurli, I. Vilmax. J. Appl. Phys., 85, 3198 (1999)
  • S.B. Tsang, S.H. Wei, A. Zunger, H. Katayama-Yochida. Phys. Rev. B, 57, 9642 (1998)
  • J.L. Shay, J.H. Wernick. Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties and Applications (N. Y., Pergamon Press, 1975)
  • Copper Indium Diselenide for Photovoltaic Applications, ed. by T.J. Coutts, L.L. Kazmerskii, S. Wagner (Amsterdam, Elsevier, 1986)
  • Н.Н. Ищенко, Л.Г. Старобинец, Л.И. Ганаго. Изв. АН БССР. Сер. хим. наук, N 5, 132 (1977)
  • Л.Г. Старобинец, Н.Н. Ищенко, Л.И. Ганаго. Изв. АН БССР. Сер. хим. наук, N 1, 111 (1988)
  • П.П. Киш, С.Т. Орловский. ЖАХ, 17, 1057 (1962)
  • Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1963)
  • Ю.Я. Гуревич, Ю.В. Плесков. Фотоэлектрохимия полупроводников (М., Наука, 1976)
  • Ю.В. Рудь, М. Таиров. ФТП, 21, 615 (1987)
  • Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.