"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические свойства монокристаллов MnIn2S4
Нифтиев Н.Н.1
1Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 3 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

В монокристаллах MnIn2S4 исследованы температурная зависимость тока и вольт-амперные характеристики в различных условиях. Показано, что механизм токопрохождения в нелинейной области вольт-амперной характеристики обусловлен током, ограниченным пространственным зарядом. Определены энергия залегания и концентрации ловушек. Установлено, что монокристаллы MnIn2S4 являются сильно компенсированными полупроводниками.
  • T. Kanomata, H. Ido, T. Kaneko. J. Phys. Soc. Japan, 34, 554 (1973)
  • N.N. Niftiyev. Sol. St. Commun., 92, 781 (1994)
  • Н.Н. Нифтиев. ФТП, 36, 836 (2002)
  • К. Као, В. Хуанг (М., Мир, 1984) ч. 1
  • А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977)
  • Н.С. Грушко, Л.А. Герасименко, Т.И. Гоглидзе. В сб.: Физика полупроводников и диэлектриков (Кишинев, Штиинца, 1982) с. 82
  • М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  • А.В. Маловичко, В.Г. Чалая, Е.Т. Шульга. УФЖ, 20, 209 (1975)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.