"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О природе гистерезиса низкотемпературного прыжкового магнетосопротивления вблизи перехода металл--изолятор в компенсированном Ge:Ga
Егоров С.В.1, Забродский А.Г.1, Парфеньев Р.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

Ранее авторами был описан эффект гистерезиса прыжкового магнетосопротивления нейтронно-легированного Ge:Ga. Эффект сопровождается скачкообразным падением удельного сопротивления образца при перемагничивании на величину до 10% в зависимости от концентрации основной примеси и наблюдается при температурах не выше 0.7 K. В настоящей работе установлено, что скачки сопротивления происходят в результате кратковременного нагрева образца. Предложена модель, согласно которой тепло выделяется при перемагничивании дырок, локализованных в примесной зоне Ga. Проведено сравнение результатов расчета с экспериментальными данными.
  • А.Г. Андреев, С.В. Егоров, А.Г. Забродский, Р.В. Парфеньев, А.В. Черняев. ФТП, 34, 796 (2000)
  • A.G. Zabrodskii, A.G. Andreev, S.V. Egorov. Phys. St. Sol. (b), 205, 61 (1998)
  • Физические величины / Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (М., Энергоатомиздат, 1991)
  • А.Л. Эфрос, Б.И. Шкловский. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • A.L. Efros, B.I. Shklovskii. Electronic Properties of Doped Semiconductors (Berlin--Heidelberg--N. Y.--Tokyo, 1984)
  • А.Г. Забродский, А.Г. Андреев. ФТП, 58, 809 (1993)
  • Н.С. Аверкиев, В.М. Аснин, Ю.Н. Ломасов, Г.Е. Пикус, А.А. Рогачев, Н.А. Рудь. ФТТ, 23, 3117 (1981)
  • А.И. Вейнгер, А.Г. Забродский, Т.В. Тиснек, Е.Н. Мохов. ФТП, 46, 874 (2003)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.