"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структуры на основе полупроводниковых соединений Cu(Ag)InnSm
Боднарь И.В.1, Полубок В.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.3, Сергинов М.С.3
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 апреля 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

Методом направленной кристаллизации расплава выращены кристаллы тройных соединений CuIn7S11, CuIn11S17 и AgIn11S17. На основании измерения кинетических коэффициентов определены тип проводимости, удельное сопротивление, концентрация электронов и холловская подвижность носителей заряда, что позволяет отнести полученные вещества к полупроводниковым материалам. Установлена возможность и созданы первые фоточувствительные структуры на основе выращенных соединений. Определены фотоэлектрические параметры полученных твердотельных поверхностно-барьерных структур и фотоэлектрохимических ячеек, обсуждается характер межзонных переходов и оценена ширина запрещенной зоны новых полупроводников. Показано, что разработанные структуры могут применяться в фотодетекторах естественного излучения.
  • И.В. Боднарь, Т.Л. Кушнер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.В. Якушев. ЖПС, 69, 519 (2002)
  • C. Rincon, S.M. Wasim, G. Marin, R. Marques. Abstracts 13-=SUP=-th-=/SUP=- ICTMC (Paris, 2002) p. 83
  • S.M. Wasim, G. Marin, C. Rincon, R. Marques, C. Torres, A. Rincon. Abstracts 13-=SUP=-th-=/SUP=- ICTMC (Paris, 2002) p. 205
  • N.M. Gasanly, A. Serpengurel, A. Audinly, O. Gurli, I. Vilmax. J. Appl. Phys., 85, 3198 (1999)
  • S.B. Tsang, S.H. Wei, A. Zunger, H. Katayama-Yochida. Phys. Rev. B, 57, 9642 (1998)
  • J.L. Shay, J.H. Wernick. Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties and Applications (N.Y., Pergamon Press, 1975)
  • Copper Indium Diselenide for Photovoltaic Applications, ed. by T.J. Coutts, L.L. Kazmerskii, S. Wagner (Amsterdam, Elsevier, 1986)
  • Н.Н. Ищенко, Л.Г. Старобинец, Л.И. Ганаго. Изв. АН БССР. Сер. хим. наук, N 5, 132 (1977)
  • Л.Г. Старобинец, Н.Н. Ищенко, Л.И. Ганаго. Изв. АН БССР. Сер. хим. наук, N 1, 111 (1988)
  • П.П. Киш, С.Т. Орловский. ЖАХ, 17, 1057 (1962)
  • Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1963)
  • Ю.Я. Гуревич, Ю.В. Плесков. Фотоэлектрохимия полупроводников (М., Наука, 1976)
  • Ю.В. Рудь, М. Таиров. ФТП, 21, 615 (1987)
  • A. Shileika. Surf. Sci., 37, 730 (1973)
  • В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. ФТП, 12, 209 (1978)
  • Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.