"Физика и техника полупроводников"

Издателям

Статистика

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2018
- 1 2 3 4 5 6
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структуры на основе полупроводниковых соединений Cu(Ag)In_nS_m

Боднарь И.В.¹, Полубок В.А.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.³, Сергинов М.С.³

¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
²Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия

Поступила в редакцию: 15 апреля 2003 г.

Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом направленной кристаллизации расплава выращены кристаллы тройных соединений CuIn₇S₁₁, CuIn₁₁S₁₇ и AgIn₁₁S₁₇. На основании измерения кинетических коэффициентов определены тип проводимости, удельное сопротивление, концентрация электронов и холловская подвижность носителей заряда, что позволяет отнести полученные вещества к полупроводниковым материалам. Установлена возможность и созданы первые фоточувствительные структуры на основе выращенных соединений. Определены фотоэлектрические параметры полученных твердотельных поверхностно-барьерных структур и фотоэлектрохимических ячеек, обсуждается характер межзонных переходов и оценена ширина запрещенной зоны новых полупроводников. Показано, что разработанные структуры могут применяться в фотодетекторах естественного излучения.

И.В. Боднарь, Т.Л. Кушнер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.В. Якушев. ЖПС, 69, 519 (2002)

C. Rincon, S.M. Wasim, G. Marin, R. Marques. Abstracts 13-=SUP=-th-=/SUP=- ICTMC (Paris, 2002) p. 83

S.M. Wasim, G. Marin, C. Rincon, R. Marques, C. Torres, A. Rincon. Abstracts 13-=SUP=-th-=/SUP=- ICTMC (Paris, 2002) p. 205

N.M. Gasanly, A. Serpengurel, A. Audinly, O. Gurli, I. Vilmax. J. Appl. Phys., 85, 3198 (1999)

S.B. Tsang, S.H. Wei, A. Zunger, H. Katayama-Yochida. Phys. Rev. B, 57, 9642 (1998)

J.L. Shay, J.H. Wernick. Ternary Chalcopyrite Semiconductors: Growth, Electronic Properties and Applications (N.Y., Pergamon Press, 1975)

Copper Indium Diselenide for Photovoltaic Applications, ed. by T.J. Coutts, L.L. Kazmerskii, S. Wagner (Amsterdam, Elsevier, 1986)

Н.Н. Ищенко, Л.Г. Старобинец, Л.И. Ганаго. Изв. АН БССР. Сер. хим. наук, N 5, 132 (1977)

Л.Г. Старобинец, Н.Н. Ищенко, Л.И. Ганаго. Изв. АН БССР. Сер. хим. наук, N 1, 111 (1988)

П.П. Киш, С.Т. Орловский. ЖАХ, 17, 1057 (1962)

Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. Полупроводниковая оптоэлектроника (М., Мир, 1963)

Ю.Я. Гуревич, Ю.В. Плесков. Фотоэлектрохимия полупроводников (М., Наука, 1976)

Ю.В. Рудь, М. Таиров. ФТП, 21, 615 (1987)

A. Shileika. Surf. Sci., 37, 730 (1973)

В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь. ФТП, 12, 209 (1978)

Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель