"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование образования и модификации нанокристаллических включений кремния в пленках a-Si : H методом просвечивающей электронной микроскопии
Афанасьев В.П.1, Гудовских А.С.1, Казак-Казакевич А.З.1, Сазанов А.П.1, Трапезникова И.Н.2, Теруков Е.И.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 20 июня 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано образование и модификация включений нанокристаллической фазы (nc-Si) в тонких пленках a-Si : H, полученных тремя способами: плазмохимическим осаждением a-Si : H, циклическим плазмохимическим осаждением с промежуточным отжигом слоев толщиной 10--20 нм в водородной плазме и плазмохимическим осаждением a-Si : H с отжигом пленок толщиной 40 нм в водородной плазме. Показано, что размеры нанокристаллитов в пленках, полученных циклическим осаждением с промежуточным отжигом в водородной плазме, после термообработки при 750oC в течение 30 мин не превышают толщины слоя, осажденного за цикл, в то время как в однородных пленках после термообработки в тех же условиях размеры кристаллитов достигают 1 мкм и более. Предложены модели, объясняющие наблюдаемые эффекты, которые подтверждаются результатами расчетов диффузионных профилей водорода в пленке a-Si : H после ее отжига в водородной плазме и термообработки в вакууме.
  • C. Longeaud, J.P. Kleider, P. Roca i Cabarrocas, S. Hamma, R. Meaudre, M. Meaudre. J. Non-Cryst. Sol., 227-- 230, 96 (1998)
  • В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, О.И. Коньков, М.М. Казанин, К.В. Коугия, А.П. Сазанов, И.Н. Трапезникова, Е.И. Теруков. ФТП, 34, 495 (2000)
  • И.А. Курова, Н.А. Ормонт, Е.И. Теруков, И.Н. Трапезникова, В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских. ФТП, 35, 367 (2001)
  • В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, В.Н. Неведомский, А.П. Сазанов, А.А. Ситникова, И.Н. Трапезникова, Е.И. Теруков. ФТП, 36, 238 (2002)
  • X.-N. Liu, S. Njng, L.-C. Wang, G.-X. Chen, X.-M. Bao. J. Appl. Phys., 78, 6193 (1995)
  • T. Toyama, Y. Kotani, A. Shimode, H. Okamoto. Mater. Res. Soc. Proc., 557, 469 (1999)
  • T. Itoh, K. Yamamoto, K. Ushikoshi, S. Nonomura, S. Nitta. J. Non-Cryst. Sol., 266-- 269, 201 (2000)
  • Y. He, C. Yin, G. Cheng, L. Wang, X. Liu. J. Appl. Phys., 75, 797 (1994)
  • V.P. Afanasjev, A.S. Gudovskikh, J.P. Kleider, A.P. Sazanov, E.I. Terukov J. Non-Cryst. Sol., 299--302, 1070 (2002)
  • В.П. Афанасьев, А.А. Лянгузов, А.П. Сазанов. Петербургский журн. электрон., N 2, 7 (1995)
  • В.П. Афанасьев, А.С. Гудовских, А.П. Сазанов, Я.В. Сонг, Ю.М. Таиров. Матер. электрон. техн., N 4, 29 (1999)
  • P.V. Santos, W.B. Jackson. Phys. Rev. B, 46, 4595 (1992)
  • W.B. Jackson, C.C. Tsai. Phys. Rev. B, 45, 6564 (1992)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.