"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Спектроскопия экситонных поляритонов в напряженных полупроводниковых структурах AIIBVI с широкими квантовыми ямами
Марков С.А.1, Сейсян Р.П.1, Кособукин В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.

Изучались экситонные поляритоны в квантовых ямах ZnSe/ZnSxSe1-x, ширина которых превосходит боровский радиус экситона. Из оптических спектров отражения и пропускания, измеренных при температуре 2 K, путем исключения модулирующего влияния интерференции Фабри--Перо получены спектры оптической плотности с несколькими экситонными пиками поглощения. Применительно к экситон-поляритонному переносу в изучаемых структурах развит метод матриц переноса, учитывающий наличие в квантовой яме двух близких по частоте экситонных резонансов, обладающих пространственной дисперсией. В качестве таких резонансов рассматривались экситоны тяжелой и легкой дырок, подзоны которых расщеплены вследствие деформации, возникающей из-за рассогласования постоянных кристаллической решетки составляющих полупроводников. Показано, что две серии пиков в спектрах поглощения принадлежат уровням размерного квантования тяжелого и легкого экситонов в широкой квантовой яме. Путем подгонки теоретических спектров под экспериментальные найдены эффективные экситонные параметры.
  • E.L. Ivchenko, G.E. Pikus. Superlattices and Other Heterostructures. (Springer Verlag, Berlin, 1997)
  • Е.Л. Ивченко, В.А. Кособукин. ФТП, 22, 24 (1988)
  • С.И. Пекар. Кристаллооптика и добавочные световые волны. (Киев, Наук. думка, 1982)
  • В.А. Киселев, Б.С. Разбирин, И.Н. Уральцев. Письма ЖЭТФ, 18, 504 (1973)
  • V.A. Kiselev, B.S. Razbirin, I.N. Uraltsev. Phys. St. Sol. (b), 72, 161 (1975)
  • Y. Chen, F. Bassani, J. Massies, C. Deparis, G. Neu. Europhys. Lett., 14, 483 (1991); A. Tredicucci, Y. Chen, F. Bassani, J. Massies, C. Deparis, G. Neu. Phys. Rev. B, 47, 10 348 (1995)
  • G.N. Aliev, N.V. Luk'yanova, R.P. Seisyan, M.R. Vladimirova, H. Gibbs, G. Khitrova. Phys. St. Sol. (a), 164, 193 (1997)
  • Y. Merle D'Aubigne, H. Mariette, N. Magnea, H. Tuffigo, R.T. Cox, G. Lentz, Le Si Dang, J.-L. Pautrat, A. Wasiela. J. Cryst. Growth, 101, 650 (1990)
  • S. Lankes, M. Meier, T. Reisinger, W. Gebhardt. J. Appl. Phys., 80, 4049 (1996)
  • Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  • E.O. Kane. Phys. Rev. B, 11, 3850 (1975)
  • G. Fishman. Sol. St. Commun., 27, 1097 (1978)
  • G. Palamidas, D.R. Tilley. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 14, 2951 (1981)
  • B. Sermage, G. Fishman. Phys. Rev. Lett., 43, 1043 (1979); Phys. Rev. B, 23, 5107 (1981)
  • J.Lagois. Phys. Rev. B, 23, 5511 (1981)
  • Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов (М., Наука, 1984)
  • В.А. Кособукин. ФТТ, 34, 3107 (1992)
  • H. Mathieu, Y. Chen, J. Camassel, J. Allegre, D.S. Robertson. Phys. Rev. B, 32, 4042 (1985)
  • V.A. Kosobukin. Phys. St. Sol. (b), 208, 271 (1998)
  • D.S. Gerber, G.N. Maracas. J. Quant. Electron., 29, 2589 (1993)
  • Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, ed. by K.-H. Hellwege (LANDOLT--BORNSTEIN) (Springer, Berlin 1982). Group III, v. 17b
  • T.-Y. Chung, J.H. Oh, S.-G. Lee, J.W. Jeong, K.J. Chang. Semicond. Sci. Technol., 12, 701 (1997)
  • A.D'Andrea, R. Del Sole. Phys. Rev. B, 25, 3714 (1982)
  • Н.Н. Ахмедиев. ЖЭТФ, 79, 1534 (1980)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.