Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2004, выпуск 2 » Статья стр. 230
<<<>>>
Спектроскопия экситонных поляритонов в напряженных полупроводниковых структурах AIIBVI с широкими квантовыми ямами
Марков С.А.1, Сейсян Р.П.1, Кособукин В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 мая 2003 г.
Выставление онлайн: 20 января 2004 г.
PDF версия
Изучались экситонные поляритоны в квантовых ямах ZnSe/ZnSxSe1-x, ширина которых превосходит боровский радиус экситона. Из оптических спектров отражения и пропускания, измеренных при температуре 2 K, путем исключения модулирующего влияния интерференции Фабри-Перо получены спектры оптической плотности с несколькими экситонными пиками поглощения. Применительно к экситон-поляритонному переносу в изучаемых структурах развит метод матриц переноса, учитывающий наличие в квантовой яме двух близких по частоте экситонных резонансов, обладающих пространственной дисперсией. В качестве таких резонансов рассматривались экситоны тяжелой и легкой дырок, подзоны которых расщеплены вследствие деформации, возникающей из-за рассогласования постоянных кристаллической решетки составляющих полупроводников. Показано, что две серии пиков в спектрах поглощения принадлежат уровням размерного квантования тяжелого и легкого экситонов в широкой квантовой яме. Путем подгонки теоретических спектров под экспериментальные найдены эффективные экситонные параметры.
  1. E.L. Ivchenko, G.E. Pikus. Superlattices and Other Heterostructures. (Springer Verlag, Berlin, 1997)
  2. Е.Л. Ивченко, В.А. Кособукин. ФТП, 22, 24 (1988)
  3. С.И. Пекар. Кристаллооптика и добавочные световые волны. (Киев, Наук. думка, 1982)
  4. В.А. Киселев, Б.С. Разбирин, И.Н. Уральцев. Письма ЖЭТФ, 18, 504 (1973)
  5. V.A. Kiselev, B.S. Razbirin, I.N. Uraltsev. Phys. St. Sol. (b), 72, 161 (1975)
  6. Y. Chen, F. Bassani, J. Massies, C. Deparis, G. Neu. Europhys. Lett., 14, 483 (1991); A. Tredicucci, Y. Chen, F. Bassani, J. Massies, C. Deparis, G. Neu. Phys. Rev. B, 47, 10 348 (1995)
  7. G.N. Aliev, N.V. Luk'yanova, R.P. Seisyan, M.R. Vladimirova, H. Gibbs, G. Khitrova. Phys. St. Sol. (a), 164, 193 (1997)
  8. Y. Merle D'Aubigne, H. Mariette, N. Magnea, H. Tuffigo, R.T. Cox, G. Lentz, Le Si Dang, J.-L. Pautrat, A. Wasiela. J. Cryst. Growth, 101, 650 (1990)
  9. S. Lankes, M. Meier, T. Reisinger, W. Gebhardt. J. Appl. Phys., 80, 4049 (1996)
  10. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  11. E.O. Kane. Phys. Rev. B, 11, 3850 (1975)
  12. G. Fishman. Sol. St. Commun., 27, 1097 (1978)
  13. G. Palamidas, D.R. Tilley. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 14, 2951 (1981)
  14. B. Sermage, G. Fishman. Phys. Rev. Lett., 43, 1043 (1979); Phys. Rev. B, 23, 5107 (1981)
  15. J.Lagois. Phys. Rev. B, 23, 5511 (1981)
  16. Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов (М., Наука, 1984)
  17. В.А. Кособукин. ФТТ, 34, 3107 (1992)
  18. H. Mathieu, Y. Chen, J. Camassel, J. Allegre, D.S. Robertson. Phys. Rev. B, 32, 4042 (1985)
  19. V.A. Kosobukin. Phys. St. Sol. (b), 208, 271 (1998)
  20. D.S. Gerber, G.N. Maracas. J. Quant. Electron., 29, 2589 (1993)
  21. Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, ed. by K.-H. Hellwege (LANDOLT--BORNSTEIN) (Springer, Berlin 1982). Group III, v. 17b
  22. T.-Y. Chung, J.H. Oh, S.-G. Lee, J.W. Jeong, K.J. Chang. Semicond. Sci. Technol., 12, 701 (1997)
  23. A.D'Andrea, R. Del Sole. Phys. Rev. B, 25, 3714 (1982)
  24. Н.Н. Ахмедиев. ЖЭТФ, 79, 1534 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme