"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Обращение волнового фронта на поверхности оптически возбужденного ZnO
Грузинцев А.Н.1, Волков В.Т.1
1Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 10 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Теоретически и экспериментально показана возможность обращения светового волнового фронта в возбужденной полупроводниковой среде. На эпитаксиальных пленках ZnO при комнатной температуре при накачке азотным лазером впервые обнаружено обращение света для энергии фотонов, равной половине энергии излучательной рекомбинации экситонов. Исследованы зависимости интенсивности сигнала обращения волнового фронта от его спектрального состава. Предлагается объяснение эффекта: квадратичное взаимодействие световых и экситонных электромагнитных колебаний в полупроводниковой среде.
  • Y. Chen, D.M. Bagnall, Z. Zhu, T. Sekiuchi, K. Park. J. Cryst. Growth, 181, 165 (1997)
  • Ji. Chen, T. Fujita. Jap. J. Appl. Phys., 41, L203 (2002)
  • А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, Л. Бартхоу, П. Беналул. ФТП, 36 (6), 741 (2002)
  • P.A. Belanger, A. Hardy, A.E. Seigman. Appl. Optic, 19, 602 (1980)
  • J.F. Lam, W.P. Brown. Optics Lett., 5, 61 (1980)
  • D.M. Bloom, G.C. Bjoklund. Appl. Phys. Lett., 31, 592 (1977)
  • Ф. Качмарек. Введение в физику лазеров (М., Мир, 1981)
  • W. Hirschwald. Zinc oxide: Current topics in materials science (North-Holland Publishing Company, 1981)
  • А.Н. Грузинцев, В.Т. Волков, Л.Н. Матвеева. Микроэлектроника, 31, 227 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.