Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Электрические свойства MnIn2Se4
1Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан 
Поступила в редакцию: 13 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.
Исследованы температурная зависимость электропроводности и вольт-амперные характеристики кристаллов MnIn2Se4. Показано, что ток в нелинейной области вольт-амперной характеристики обусловлен полевым эффектом. Определены энергии активации носителей тока и концентрации ловушек. В MnIn2Se4 наблюдалась релаксация тока со временем.
- T. Kanomata, H. Ido, T. Kaneko. J. Phys. Soc. Japan, 34, 554 (1973)
- Б.К. Бабаева, М.Р. Аллазов. В кн.: Исследования в области неорганической и физической химии (Баку, Наука, 1977)
- Д.С. Аждарова. Полупроводники на основе халькогенидов марганца (Баку, Наука, 2001)
- G.A. Medvedkin, Yu.V. Rud, M.A. Tairov. Phys. St. Sol. A, 3, 289 (1989)
- Н.Н. Нифтиев, М.А. Алиджанов, О.Б. Тагиев, М.Б. Мурадов. ФТП, 37, 173 (2003)
- Я.И. Френкель. ЖЭТФ, 8, 1292 (1938)
- Hill. Philos. Mag., 23, 59 (1971)
- Б.Л. Тиман, А.П. Карпова. ФТП, 7, 230 (1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
