"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Выращивание и легирование магнием слоев InAs методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Воронина Т.И.1, Лагунова Т.С.1, Кижаев С.С.1, Молчанов С.С.1, Пушный Б.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Получены эпитаксиальные слои InAs, легированные Mg методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, и изучены их электрические свойства. Легирование магнием InAs во время роста методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений позволяет получить сильно компенсированный p-InAs с предельной концентрацией дырок p~ 2· 1018 см-3 и с низкой подвижностью носителей (mu~ 50 см2/В · с при T=300 K). При слабом уровне легирования Mg кристаллизуются слои InAs n-типа проводимости с высокой подвижностью по сравнению с нелегированными слоями n-InAs за счет связывания нейтральных примесей магнием.
  • П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника (Киев, Наук. думка, 1975) с. 424
  • M. Kondo, C. Anayama, H. Sekiguchi, T. Tanahasni. J. Cryst. Growth, 141, 1 (1994)
  • A.W. Nelson, L.D. Westbrook. J. Cryst. Growth, 68, 102 (1984)
  • E. Veuhoff, H. Baumeister. J. Cryst. Growth, 105, 353 (1990)
  • E. Veuhoff, H. Baumeister, J. Rieger, M. Gorgel, R. Treichler. J. Electron. Mater., 20 (12), 1037 (1991)
  • R. Winterhoff, P. Raisch, V. Frey, W. Wagner, F. Scholz. J. Cryst. Growth, 195, 132 (1998)
  • G.J. Bauhuis, P.R. Hageman, P.K. Larsen. J. Cryst. Growth, 191, 313 (1998)
  • M. Ohkubo, J. Osabe, T. Shiojima, T. Yamaguchi, T. Ninomiya. J. Cryst. Growth, 170, 177 (1997)
  • Т.И. Воронина, Н.В. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 33 (10), 1168 (1999)
  • S.S. Kizhayev, N.V. Zotova, S.S. Molchanov, Y.P. Yakovlev. IEEE Proc. Optoelectron., 149 (1), 36 (2002)
  • А.Я. Шик. Письма ЖТФ, 20, 14 (1974)
  • L.R. Weisberg. J. Appl. Phys., 33 (5), 1817 (1962)
  • M.H. Cohen, J. Jorther. Phys. Rev. Lett., 30, 696 (1973)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.