"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Коэффициенты захвата свободных экситонов мелкими акцепторами и донорами в арсениде галлия
Глинчук К.Д.1, Литовченко Н.М.1, Стрильчук О.Н.1
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 5 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Проведен анализ спектров (T=4.2 K) экситонной люминесценции полуизолирующих кристаллов GaAs с различными концентрациями мелких акцепторов (С) и доноров (Si). Это позволило найти при температуре жидкого гелия коэффициенты захвата свободных экситонов мелкими нейтральными акцепторами [bA0X=(4±2)·10-8 см3/с] и донорами [bD0X=(1.5±0.8)·10-7 см3/с], а также оценить коэффициент захвата свободных экситонов мелкими ионизированными донорами (bD+X>> bD0X).
  • А.А. Липник. ФТТ, 3, 2322 (1961)
  • D. Magde, H. Mahr. Phys. Rev. B, 2, 4098 (1970)
  • В.Л. Броуде, И.И. Тартаковский, В.Б. Тимофеев. ФТТ, 14, 3531 (1972)
  • К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 36, 519 (2002)
  • K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich. Semicond. Phys., Quant. Electron. and Optoelectron., 5, 353 (2002)
  • G.W. Hooft, W.A. Poel, L.W. Molenkamp, C.T. Foxon. Phys. Rev. B, 35, 8281 (1987)
  • А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 133, 427 (1981)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.