Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Коэффициенты захвата свободных экситонов мелкими акцепторами и донорами в арсениде галлия
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 5 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.
Проведен анализ спектров (T=4.2 K) экситонной люминесценции полуизолирующих кристаллов GaAs с различными концентрациями мелких акцепторов (С) и доноров (Si). Это позволило найти при температуре жидкого гелия коэффициенты захвата свободных экситонов мелкими нейтральными акцепторами [bA0X=(4±2)·10-8 см3/с] и донорами [bD0X=(1.5±0.8)·10-7 см3/с], а также оценить коэффициент захвата свободных экситонов мелкими ионизированными донорами (bD+X>> bD0X).
- А.А. Липник. ФТТ, 3, 2322 (1961)
- D. Magde, H. Mahr. Phys. Rev. B, 2, 4098 (1970)
- В.Л. Броуде, И.И. Тартаковский, В.Б. Тимофеев. ФТТ, 14, 3531 (1972)
- К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 36, 519 (2002)
- K.D. Glinchuk, A.V. Prokhorovich. Semicond. Phys., Quant. Electron. and Optoelectron., 5, 353 (2002)
- G.W. Hooft, W.A. Poel, L.W. Molenkamp, C.T. Foxon. Phys. Rev. B, 35, 8281 (1987)
- А.П. Леванюк, В.В. Осипов. УФН, 133, 427 (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
