Рассчитана предельная квантовая эффективность электролюминесценции в кремниевых диодах и p-i-n-структурах при комнатной температуре. Показано, что ее внутренний квантовый выход составляет около 10% и реализуется при оптимальных уровнях легирования n- и p-областей кремниевого диода ~ 1015 и 5· 1016 см-3 соответственно. По мере уменьшения времен жизни Шокли--Рида--Холла для электронов и дырок внутренний квантовый выход электролюминесценции в кремниевых барьерных структурах резко снижается. Физика процессов, связанных с влиянием экситонов в кремнии, имеет много общего для электролюминесценции, фотолюминесценции и фотопреобразования. Показано, что перспективными для использования в кремниевых интегральных схемах могут быть лишь электролюминесцентные p-i-n-структуры.
M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, P.J. Reece, M. Gal. Nature, 412, 805 (2001)
W.L. Ng, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Lewdain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, Б.П. Захарченя, И.Н. Яссиевич. Матер. совещ. Нанофотоника-2003" (2003) т. 1, с. 59; O.B. Gusev, M.S. Bresler, I.N. Yassievich, B.P. Zakharchenya. In: Proc. NATO Workshop "Toward the First Silicon Laser" (2002)
A.V. Sachenko, A.P. Gorban, V.P. Kostylyov. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 3, 5 (2000)
A.V. Sachenko, Ju.V. Kryuchenko. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 3, 150 (2000)
A.P. Gorban, A.V. Sachenko, V.P. Kostylyov, N.A. Prima. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron., 3, 322 (2000)
А.В. Саченко, А.П. Горбань, В.П. Костылев. Укр. физ. журн., 46, 226 (2001)
A.V. Sachenko, N.A. Prima, A.P. Gorban, A.A. Serba. Proc. 17 th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Munich, 2001) v. 1, p. 230
A.P. Gorban, V.P. Kostylyov, A.V. Sachenko, V.V. Chernenko. Proc. 17 th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Munich, 2001) v. 1, p. 234
А.П. Горбань, В.А. Зуев, В.П. Костылев, А.В. Саченко, А.А. Серба, В.В. Черненко. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 36, 161 (2001)
M.J. Keevers, M.A. Green. Appl. Phys. Lett., 66, 174 (1995)