"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Теория туннельного токопереноса в контактах металл- полупроводник с приповерхностным изотипным delta-легированием
Шашкин В.И.1, Мурель А.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 21 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Построена теория туннельного токопереноса в контактах металл-полупроводник с приповерхностным изотипным delta-легированием. На основе подхода Мерфи и Гуда, с учетом снижения высоты потенциального барьера за счет сил изображения, получены аналитические выражения для тока. Проведен расчет характеристик delta-легирования, обеспечивающего эффективную термополевую эмиссию в контакте металл-полупроводник и уменьшение эффективной высоты барьера от исходных значений до единиц kT. Установлено, что зависимость тока от напряжения в контакте с изотипным delta-легированием носит в основном экспоненциальный характер. Показано, что для всех значений высоты барьера возможно сохранение малого фактора неидеальности n=<q 1.07. Резкое его возрастание до n>=q 1.5 характерно для контактов с не полностью обедненным delta-слоем.
  • E.H. Phoderick, R.H. Williams. Metal-Semiconductor Contacts (Claredon Press, Oxford, 1988)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) ч. 1
  • F.A. Radovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
  • Туннельные явления в твердых телах (М., Мир, 1973). [Пер. с англ.: Tunneling Phenomena in Solids, ed. by E. Burstein, S. Lundqvist (N. Y., Plenum Press, 1969)]
  • E.F. Schubert, J.E. Cunningham, W.T. Tsang, T.H. Chiu. Appl. Phys. Lett., 49, 292 (1986)
  • M. Missous, T. Taskin. Semicond. Sci. Technol., 8, 1848 (1993)
  • В.И. Шашкин, А.В. Мурель, Ю.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. Микроэлектроника, 26, 57 (1997)
  • В.И. Шашкин, А.В. Мурель, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин. ФТП, 36, 537 (2002)
  • S.G. Miller, R.G. Good. Phys. Rev., 91, 174 (1953)
  • E.L. Murphy, R.H. Good. Phys. Rev., 102, 1464 (1956)
  • S.G. Christov. Surf. Sci., 70, 32 (1978)
  • V.I. Shashkin, V.M. Daniltsev, O.I. Khrykin, A.V. Murel, Yu.I. Chechenin, A.V. Shabanov. Proc. Int. Semicon. Dev. Res. Symp. ( ISDRS 1997) (Charlottseville, USA, 1997) p. 147
  • V. Shashkin, Yu. Chechenin, V. Danil'tsev, O. Khrykin, A. Maslovsky, A. Murel, V. Vaks. Proc 23rd Int. Conf. Microelectronics ( MIEL 2002) (Nis, Yugoslavia, 2002) p. 335
  • А. Модинос. Авто-, термо- и вторично-электронная эмиссионная спектроскопия (М., Наука, 1990)
  • А.П. Прудников, Ю.А. Брычков, О.И. Маричев. Интегралы и ряды (М., Наука, 1981)
  • J.M. Geraldo, W.N. Rodrigues, G. Medeiros-Ribeiro, A.G. de Oliveira. J. Appl. Phys., 73, 820 (1993)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.