Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Модель электрической изоляции GaN и ZnO при бомбардировке легкими ионами
1Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия 
2Research School of Physical Sciences and Engineering, The Australian National University, Canberra, ACT, Australia
2Research School of Physical Sciences and Engineering, The Australian National University, Canberra, ACT, Australia
Поступила в редакцию: 30 января 2004 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2004 г.
Представлена модель формирования электрической изоляции GaN и ZnO под действием облучения быстрыми ионами. В качестве основного процесса, приводящего к снижению концентрации свободных носителей и росту сопротивления, рассматривается образование комплексов, состоящих из атома легирующей примеси и созданного ионным пучком простейшего точечного дефекта. Проведенное сравнение результатов модели и экспериментальных данных по возникновению изоляции, полученных для GaN и ZnO, показывает, что модель способна удовлетворительно описывать происходящие процессы.
- S.J. Pearton, J.C. Zolper, R.J. Shul, F. Ren. J. Appl. Phys., 86, 1 (1999)
- D.C. Look. Mater. Sci. Eng. B, 80, 383 (2001)
- S.J. Pearton, R.G. Wilson, J.M. Zavada, J. Han, R.J. Shul. Appl. Phys. Lett., 73, 1877 (1998)
- H. Boudinov, S.O. Kucheyev, J.S. Williams, C. Jagadish, G. Li. Appl. Phys. Lett., 78, 943 (2001)
- S.O. Kucheyev, H. Boudinov, J.S. Williams, C. Jagadish, G. Li. J. Appl. Phys., 91, 4117 (2002)
- C. Uzan-Saguy, J. Salzman, R. Kalish, V. Richter, U. Tish, S. Zamir, S. Prawer. Appl. Phys. Lett., 74, 2441 (1999)
- S.J. Pearton. Mater. Sci. Rep., 4, 313 (1990)
- S.O. Kucheyev, J.S. Williams, S.J. Pearton. Mater. Sci. Eng., R. 33, 51 (2001)
- A.I. Titov, S.O. Kucheyev. J. Appl. Phys., 92, 5740 (2002)
- S.O. Kucheyev, P.N.K. Deenapanray, C. Jagadish, J.S. Williams, M. Yano, K. Koike, S. Sasa, M. Inoue, K. Ogata. Appl. Phys. Lett., 81, 3350 (2002)
- S.O. Kucheyev, C. Jagadish, J.S. Williams, P.N.K. Deenapanray, M. Yano, K. Koike, S. Sasa, M. Inoue, K. Ogata. J. Appl. Phys., 93, 2972 (2003)
- J.P. Biersack, L.G. Haggmark. Nucl. Instr. a. Meth., 174, 257 (1980)
- V.V. Emtsev, V.Yu. Davydov, K.V. Emtsev, D.S. Poloskin, G.A. Oganesyan, V.V. Kozlovskii, E.E. Haller. Phys. Status Solidi C, 0, 601 (2003)
- J.M. Meese, D.R. Locker. Sol. St. Commun., 11, 1547 (1972)
- D.R. Locker, J.M. Meese. IEEE Trans. Nucl. Sci., 19, 237 (1972)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
