Методами фотолюминесценции и спектроскопии глубоких уровней исследовалось влияние облучения быстрыми нейтронами, ионами Kr (235 МэВ) и Bi (710 МэВ) на оптические и электрические свойства высокоомных чистых эпитаксиальных слоев 4H-SiC n-типа проводимости, выращенных методом газотранспортной эпитаксии. Электрические характеристики изучались с помощью барьерных структур на основе этих эпитаксиальных слоев: барьеров Шоттки с контактами Al и Cr, а также p+-n-n+-диодов, полученных ионной имплантацией Al. Согласно полученным экспериментальным данным, нейтроны и высокоэнергетические ионы вызывают образование в 4H-SiC идентичных дефектных центров. Результаты показывают, что даже при экстремально высоких значениях плотности ионизации 34 кэВ/нм, характерных для ионов Bi, формирование дефектной структуры в монокристаллах SiC определяется потерями энергии частиц на упругое рассеяние.
T. Dalibor, G. Pensl, H. Matsunami, T. Kimoto, W.J. Choyke, A. Schoner, N. Nordel. Phys. Status Solidi A, 162, 199 (1997)
В.В. Макаров. ФТТ, 13, 2357 (1971)
V.S. Balandovich, G.N. Violina. Cryst. Lattice Defects Amorphous Mater., 13, 189 (1987)
A.M. Strel'chuk, V.V. Kozlovskii, N.S. Savkina, M.G. Rastegaeva, A.N. Andreev. Mater. Sci. Eng., 61- 62, 441 (1999)
M. Levalois, I. Lhermitte-Sebire, P. Marie, E. Paumier, J. Vicens. Nucl. Instr. Meth. B, 107, 239 (1996)
L. Liszkay, K. Havancsak, M.-F. Barthe, P. Desgardin, L. Henry, Zs. Kajcsos, G. Battistig, E. Szilagyi, V.A. Skuratov. Mater. Sci. Forum, 363, 123 (2001)
S.J. Zinkle, J.W. Jones, V.A. Skuratov. MRS Symp. Proc., 650, R3.19.1 (2001)
E. Kalinina, G. Kholujanov, G. Onushkin, D. Davydov, A. Strel'chuk, A. Zubrilov, A. Hallen, A. Konstantinov, V. Skuratov, J. Stav no. Mater. Sci. Forum, 433-- 436, 467 (2003)
E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Solov'ev, A. Strel'chuk, A. Zubrilov, V. Kossov, R. Yafaev, A.P. Kovarski, A. Hallen, A. Konstantinov, S. Karlsson, C. Ad s, S. Rendakova, V. Dmitriev. Appl. Phys. Lett., 77 (19), 3051 (2000)
W.J. Weber, F. Gao, R. Devanathan, W. Jiang, C.M. Wang. Nucl. Instr. Meth. B, 216, 25 (2004)
В.И. Авраменко, Ю.В. Конобеев, А.М. Строкова. Атомная энергия, 56 (3), 139 (1984)
M. Ikeda, H. Matsunami. Phys. Status Solidi A, 58, 657 (1980)
Ю.М. Сулейманов, А.М. Грехов, В.М. Грехов. ФТТ, 25, 1840 (1983)
Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, В.И. Соколов. ФТП, 20, 2153 (1986)
L. Patrick, W.J. Choyke. Phys. Rev. B, 5, 3253 (1972)
В.В. Макаров, Н.Н. Петров. ФТТ, 8, 1602 (1966)
Н.В. Кодрау, В.В. Макаров. ФТП, 15, 1408 (1981)
C. Hemmingsson, N.T. Son, O. Kordina, J.P. Bergman, E. Janzen, J.L. Lindstrom, S. Savage, N. Nordell. J. Appl. Phys., 81, 6155 (1997)
В.С. Балландович. ФТП, 11, 1314 (1999)
А.А. Лебедев, А.М. Иванов, Н.Б. Строкан. ФТП, 38, 129 (2004)
Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, A. Hallen, А.О. Константинов, В.В. Лучинин, А.Ю. Никифоров. ФТП, 37, 1260 (2003)
А.А. Лебедев, А.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук. ФТП, 34, 1058 (2000)
А.И. Гирка, А.Д. Мокрушин, Е.Н. Мохов, В.М. Осадчиев, С.В. Свирида, А.В. Шишкин. ЖЭТФ, 97, 578 (1990)