Квантовые ямы GaInNAs выращивались методом металлорганической газофазной эпитаксии. Для улучшения оптических свойств с обеих сторон квантовой ямы встраивались барьеры GaNAs, компенсирующие упругие напряжения. Характеристики оптических переходов оценивались из измерений фотолюминесценции и фототока. Для изготовления светоизлучающих диодов использовались невплавные омические контакты на основе сильно легированных delta-слоев. Электролюминесценция наблюдалась на длине волны ~ 1.2 мкм при температурах 77 и 300 K, ее интенсивность зависела линейно от инжектирующего тока, выше некоторого порогового значения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.