Исследованы электронные ловушки в низкотемпературном GaAs (LT-GaAs), выращенном при 150^oC. Кластеры As-Sb, возникающие в этом материале в результате отжига, были локализованы в плоскости, содержавшей один монослой атомов Sb, созданный в процессе выращивания, и достигали в диаметре 20 нм. Для измерений использовались барьеры Шоттки Au-n-GaAs, область объемного заряда которых при определенных смещениях охватывала узкий слой LT-GaAs с плоскостью кластеров. Зависимость емкости этой структуры от напряжения смещения показывает, что основная масса электронов, захваченных в этом слое, находится на ловушках, энергетический уровень которых лежит на ~0.5 эВ ниже дна зоны проводимости. Энергетическая плотность состояний вблизи этой энергии составляет 10¹⁴ см^-2эВ^-1 и быстро уменьшается к середине запрещенной зоны. Существование ловушек с энергией активации термической эмиссии электронов ~0.5 эВ подтверждено методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней. Величина сечения захвата электронов, определенная этим методом, лежит в диапазоне 5·10^-14-1·10^-12 см². Предполагается, что обнаруженный тип ловушек связан с крупными кластерами As-Sb.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.