"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О механизме инжекционных токов в светоизлучающих p-i-n-структурах на основе гидрогенизированных аморфных сплавов a-Si1-xCx : H
Андреев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 апреля 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.

Исследованы вольт-амперные характеристики тонкопленочных p-i-n- и pDiDn-струкутр, i-слой которых сформирован на основе гидрогенизированных аморфных сплавов a-Si1-xCx : H, а p- и n-слои представляют собой легированный a-Si : H. Для объяснения особенностей вольт-амперных характеристик I(V), а именно малых значений константы A в экспоненциальной зависимости тока от напряжения I propto exp(AV), предложен механизм туннельной инжекции из n-слоя непосредственно в область локализованных состояний. Процесс туннелирования является многоступенчатым и в общих чертах подобен рекомбинационному току в гетеропереходах. Высокая плотность локализованных состояний в запрещенной зоне a-Si1-xCx : H вблизи зонного края (~1020-1021 см-3) и ее зависимость от состава позволяют получить соответствующее экспериментальному значение константы A и объяснить уменьшение A с ростом содержания углерода в сплаве. При больших смещениях имеет место переход от монополярной инжекции к двойной и замещение безызлучательной рекомбинации на излучательную почти свободных электронов и дырок. Структуры с x=0.4-0.6 обнаруживали слабую электролюминесцению в видимом диапазоне, положение пика характеризуется стоксовским сдвигом, составляющим ~0.25Eg i-слоя.
  • D. Kruangam, M. Deguchi, T. Toyama, H. Okamoto, Y. Hamakawa. IEEE Trans. Electron. Dev., 35, 957 (1988)
  • G. Chen, F. Zhang, Sh. Yan. J. Non-Cryst. Sol., 137--138, 1263 (1991)
  • S.M. Paashe, T. Toyama, H. Okamoto, Y. Hamakawa. IEEE Trans. Electron. Dev., 36, 2895 (1989)
  • A.B. Pevtsov, A.V. Zherzdev, N.A. Feoktistov, G. Juska, T. Muschik, R. Schwarz. Int. J. Electron., 78, 289 (1995)
  • A. Madan, W. Czubatyi, J. Yang, M. Shur, M.P. Shaw. Appl. Phys. Lett., 40, 234 (1989)
  • W. Guang-Pu, D. Kruangam, T. Endo, H. Okamoto, Y. Hamakawa. J. Non-Cryst. Sol., 114, 735 (1989)
  • L. Ley, H. Richter. J. Non-Cryst. Sol., 114, 238 (1989)
  • A.R. Riben, D.L. Feucht. Int. J. Electron., 20, 583 (1966)
  • S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y., Willey Interscience Publ., 1981)
  • S. Liedtke, K. Jahn, F. Finger, W. Fuhs. J. Non-Cryst. Sol., 77--78, 1429 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.