Варизонный фотоэлектрический детектор ионизирующих излучений
Дапкус Л.1, Пожела К.1, Пожела Ю.1, Шиленас А.1, Юцене В.1, Ясутис В.1
1Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 21 июня 2004 г.
Выставление онлайн: 20 января 2005 г.
Гетероструктура - варизонный слой p-AlxGa1-xAs на n-GaAs-подложке - исследована в качестве детектора рентгеновского излучения и alpha-частиц с фотоэлектрическим откликом. Получено, что ампер-ваттная чувствительность детектора достигает 0.13 А/Вт. Вольт-ваттная чувствительность превышает 106 В/Вт. Исследовано влияние облучения alpha-частицами с энергией 5.48 эВ (241Am) на чувствительность детектора. Установлено, что при дозе облучения до 5·109 частиц/см2 чувствительность детектора падает в 1.5-2 раза. Дальнейшее увеличение дозы облучения до 4·1010 частиц/см2 не меняет чувствительности детектора.
- Л. Дапкус, К. Пожела, Ю. Пожела, А. Шиленас, В. Юцене, В. Ясутис. ФТП, 38, 1147 (2004)
- В.М. Андреев, В.Н. Блинов, В.А. Носенко, О.Г. Резванов, В.Н. Родионова. ФТП, 8, 4227 (1974)
- A. Silenas, J. Pozela, K.M. Smith, K. Pozela, V. Jasutis, L. Dapkus, V. Juciene. Nucl. Instrum. Meth. A, 487, 54 (2002)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук